ＳｉＣパワーデバイスの現状と課題、

高温対応実装技術

■パワー半導体デバイス／パッケージの最新技術動向■

■Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。市場予測■

■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術■

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。
★ 自動車の電動化（xEV）へシリコンIGBTをいかに凌駕していくか！
★ 半導体素子や実装技術、市場予測を含め、わかりやすくかつ丁寧に解説します。

セミナー趣旨

2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そしてこのxEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されており、すでにxEVへの搭載も始まっている。今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。

そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

＜得られる知識・技術＞

• パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。
• Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。
• パワー半導体デバイスならびにSiC市場予測。
• シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。
• SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

担当講師

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏

＜経歴＞
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年　North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月-2013年3月　産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事
2013年4月-　国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員、著書多数
＜主な受賞＞
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞　(2020年12月)
電気学会 第23回 優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞 (2011年)
＜専門＞
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
＜WebSite＞
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0

セミナープログラム（予定）

＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1.2 パワー半導体の種類と基本構造
1.3 パワーデバイスの適用分野
1.4 最近のトピックスから
1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1.7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンIGBTの進展と課題
2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
2.2 IGBT特性改善を支える技術
2.3 IGBT特性改善の次の一手
2.4 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに？

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 半導体デバイス材料の変遷
3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか？
3.4 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3.5 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3.6 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
1) SiCウェハ新技術
2) MOSFETセル技術
3.7 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか？
3.8 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3.9 内蔵ダイオード信頼性向上技術
1) プロトン照射
2) SiCウェハ新技術
3) SBD内蔵SiC MOSFET

４．SiCパワーデバイス実装技術の進展
4.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
4.2 銀または銅焼結接合技術
4.3 SiC-MOSFETモジュール技術

５．まとめ

　□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【Live配信（アーカイブ配信付き）】 2024年12月23日（月）  13:00～16:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

一般受講：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で49,500円（2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の24,750円）

テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合：受講料37,400円（E-Mail案内登録価格 35,640円）

定価：本体34,000円＋税3,400円　E-Mail案内登録価格：本体32,400円＋税3,240円

※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。

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配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、主催者サイトのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信のご案内

※【Live配信（zoom使用）対応セミナー】についてはこちらをご参照ください

※【WEBセミナー：アーカイブ受講対応セミナー】についてはこちらをご参照ください

アーカイブ(見逃し)配信について

※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

特典

■Live受講に加えて、アーカイブでも１週間視聴（※年末年始を挟むので1/6まで）できます■
【アーカイブの視聴期間】2024年12月24日(金)～1月6日(月)まで
※このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。

お申し込み方法

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