★Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や

課題まで分かりやすく解説します！

各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状主にSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイスの性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。ワイドギャップ半導体パワーデバイスの量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本は、ここでも海外メーカに後れを取っています。

本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。

◆習得できる知識

• パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
• パワーデバイスによる電力変換と高性能化
• パワーチップおよびパワーモジュールの構造
• ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
• Siパワーデバイスの優位性と課題
• ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
• 日本の電子デバイス産業における失敗事例
• パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

◆受講対象

• パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者

◆キーワード

半導体、パワー、デバイス、モジュール、チップ、ワイドギャップ、SiC、GaN

担当講師

千葉工業大学　電気電子工学科　教授　工学博士　山本 秀和 氏

（2022年3月31日までの所属です）

＜ご専門＞
半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス

＜学協会＞
パワーデバイスイネーブリング協会

＜ご略歴＞
1984年3月　北海道大学大学院博士後期課程修了（工学博士）
1984年4月　三菱電機(株)入社（20210年3月退社）
2010年4月　千葉工業大学 教授
2015年6月　パワーデバイスイネーブリング協会 理事

セミナープログラム（予定）

1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
1-1．パワーエレクトロニクスへの期待
1-2．パワーデバイスの適用分野
1-3．パワーデバイスによる電力変換
1-4．パワーデバイスの高性能化

2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
2-1．パワーチップの構造
2-2．パワーモジュールの構造
2-3．パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス

3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
3-1．Siパワーデバイスの技術開発
3-2．SiCパワーデバイスの技術開発
3-3．GaNパワーデバイスの技術開発
3-4．酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発

4．電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史
4-2．世界のパワーデバイスの状況
4-3．日本のパワーデバイスの将来展望

5．まとめ

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【LIVE配信】2024/4/18（木） 12:30～16:30

【アーカイブ配信】4/20～4/26　（何度でも受講可能）

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  44,000円 （本体価格：40,000円）

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から

• 1名で申込の場合、44,000円（税込）へ割引になります。
• 2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

ライブ配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合は、会員価格で1名につき49,500円（税込）、2名同時申込で55,000円（税込）になります。お申し込みフォームのメッセージ欄に「ライブとアーカイブ両方視聴」と明記してください。

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備考

• 本セミナーは「Zoom」を使ったLIVE配信セミナーです。

• セミナー資料は事前にPDFで配布します。紙媒体では送付しません。
  セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

お申し込み方法

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★【LIVE配信】、【アーカイブ配信】、【LIVEとアーカイブ両方視聴】のいずれかから、ご希望される受講形態をメッセージ欄に明記してください。