GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開【提携セミナー】

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開催日時	【Live配信】2025/9/10（水）13:00~16:30, 【アーカイブ】2025/9/22まで受付（視聴期間：9/22~10/2まで）
担当講師	加地徹氏
開催場所	Zoomを利用したLive配信またはアーカイブ配信
定員	30名
受講費	49,500円(税込)

★EV、データセンターへの応用が進むGaNパワー半導体の現状と将来像

　期待が大きい縦型デバイスの優位性、社会実装へ向けた最新の開発動向も解説

GaNパワーデバイスの特性と

横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

将来の高効率パワーデバイスの有力な候補とされているGaNを用いたパワーデバイスの現状と将来を理解していただく。横型パワーデバイスはGaN特有の構造で多くの特徴を持ち、開発も進んで実用化されつつある。Siと比べても優位性を持つことから、システム応用が進んでおり、わが国でも応用展開を喚起したい。縦型パワーデバイスはまだ実用化手前であるが、その開発は速いスピードで進んでおり,現状と課題を説明する。今のところ我が国がリードしていると考えているが、世界での開発競争が始まっており、危機感を共有したい。

習得できる知識

・GaNという材料の特徴
・横型構造GaNパワーデバイスの特徴と実際
・縦型構造GaNパワーデバイスの他材料に対する優位性、差別化
・縦型構造GaNパワーデバイス開発の現状と展望

担当講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　特任教授　加地徹氏

セミナープログラム（予定）

１．GaNの物性と強み

２．GaNパワーデバイスの特徴

３.　横型パワーデバイス
3.1 横型パワーデバイスの構造と特徴
3.2 技術課題と対策
3.2.1 電流コラプス
3.2.2 ノーマリオフ
3.2.3 エピタキシャル成長
3.3 実際の構造とパッケージング
3.4 世界の開発動向と応用

４．縦型パワーデバイス
4.1 縦型パワーデバイスの構造と特徴
4.2 作製プロセスの課題
4.3 要素技術の現状
4.3.1 結晶成長技術
4.3.2 トレンチ加工技術
4.3.3 ゲート絶縁膜とチャネル移動度
4.3.4 イオン注入技術
4.3.5 GaN基板開発の現状
4.3 縦型パワーデバイスの実際
4.3.1 Junction Barrier Schottky (JBS) ダイオード
4.3.2 Junction FET
4.3.3 MOSFET
4.4 開発の展望と応用

５．全体のまとめ

【質疑応答】