☆大きな可能性を秘めた新しいパワー半導体材料として注目されている

二酸化ゲルマニウムの基礎的な物性や世界の研究状況について解説

二酸化ゲルマニウム(GeO2)の特徴と基礎研究開発

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

現在、大きな可能性を秘めた新しいパワー半導体材料として注目されている二酸化ゲルマニウム(GeO2)の基礎的な物性や世界の研究状況をお話します。GeO2は古くて新しい材料で、Ge金属表面の酸化物層として知られます。熟練の半導体研究者にとっては、「容易に水に溶ける軟弱な材料」と思われますが、結晶相であるルチル構造GeO2の場合は水に溶解せずに耐熱性も高く、バンドギャップが4.6 eVの超ワイドギャップ半導体です。2019年頃よりパワーデバイスとして優れた性能をもつことが米国を中心に盛んに理論予測され始めました。具体的には、ドーピングによるp型とn型の導電性制御が可能である事、電子、正孔ともに高い移動度を有している事です。2020年に米国の大学からMBEによる極薄膜(4時間成長で40 nm)の作製が報告されましたが、非常に製膜が困難な材料です。当研究室では、2021年に1μm/h以上の成長速度をもつ厚膜の作製を報告し、2022年には混晶膜の作製も共同で発表しました。当研究室以外でもPLD法等で厚膜の作製が報告されるなど、研究者人口が徐々に増え始めていますが、ここ数年で注目を集め始めた材料ですので、まだまだ小規模です。一方で大きな可能性をもつ材料ですので、それらの可能性についてもお話します。

◆習得できる知識

• 新しいパワー半導体材料であるGeO2の半導体としての特徴や世界の研究状況などの知識が得られます。

◆受講対象

• 材料系のR＆Dに従事されている若手の方。
• SiCやGaN、酸化ガリウム等のパワー半導体材料に興味がある方、またはそれら材料の技術的専門職の方。
• 半導体業界の新材料に興味がある方。

◆必要な前提知識

• 基礎的な半導体や結晶成長に関する知識。
• 出来るだけ専門用語を用いずに、新材料であるGeO2の特徴をお話しますので、初学者の方も御参加下さい。

◆キーワード

二酸化ゲルマニウム,GeO2,半導体,パワーデバイス,セミナー

担当講師

立命館大学 総合科学技術研究機構 教授 博士(工学)　金子 健太郎 氏

【略歴】
2013年　京都大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程修了
博士(工学)　日本学術振興会特別研究員(PD)
2014年　京都大学大学院工学研究科　助教
2018年　同　講師
2022年　立命館大学　総合科学技術研究機構　教授　現在に至る
2023年　立命館大学　RARAフェローに選出

【学協会での役職(抜粋)】
2022年～現在　応用物理学会　代議員
2021年～現在　エレクトロニクス実装学会関西支部 役員
2018年～現在　IEEE CPMT Symposium Japan　運営委員　査読委員
2021年～2023年　日本材料学会　編集委員
2020年～2023年　第4回酸化ガリウムおよび関連材料に関する国際ワークショップ(IWGO-4) 財務
2019年～2021年　応用物理学会 関西支部 幹事
2014 年～2015年 第1回酸化ガリウムおよび関連材料に関する国際ワークショップ(IWGO2015) 財務

セミナープログラム（予定）

１．GeO2の可能性
・バンドギャップ4.6 eV
・p型とn型が作製可能(理論予測)
・高い移動度
・安価に基板作製可能
・酸化物の中では高い熱伝導率

２．なぜ、GeO2の薄膜合成はきわめて困難なのか？

３．GeO2厚膜の合成と高速成長

４．GeO2のバンドギャップ変調

５．世界のGeO2研究

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023年11月27日（月） 13:00～15:00

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 38,500円 （本体価格：35,000円）
会員： 35,200円 （本体価格：32,000円）

会員の方あるいは申込時に会員登録される方は、受講料が1名38,500円（税込）から

• 1名35,200円（税込）に割引になります。
• 2名申込の場合は計38,500円（2人目無料）になります。両名の会員登録が必要です。

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備考

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