次世代パワーデバイス開発の最前線《Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題》【提携セミナー】

　　セミナー　　半導体/電子　　電子部品/デバイス　　次世代パワーデバイス開発の最前線《Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題》【提携セミナー】

開催日時	【ライブ配信(見逃し配信付)】 2026/8/26（水） 13:00～16:30 , 【アーカイブ配信】 2026/9/11（金）まで申込み受付（視聴期間：9/11～9/29）
担当講師	山本秀和氏
開催場所	【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
定員	-
受講費	通常申込：本体45,000円＋税4,500円 E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

次世代パワーデバイス開発の最前線

《Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題》

量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】or【アーカイブ配信】のみ

次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較。
技術・市場・業界再編から将来展望までを一挙解説！

パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特徴、技術的優位性、量産化課題、最新の開発動向を詳細に解説します。
また、日本のパワーデバイス産業が直面する競争環境や業界再編の動きにも触れながら、今後の技術・市場の方向性を展望します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。

セミナー趣旨

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。

これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。

本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。

得られる知識