三次元実装(３D実装)および(TSV，TGVなどの)貫通電極に関する微細加工，材料技術，試験評価の動き【提携セミナー】
表面処理/微細加工 半導体・電子部品実装 研究・開発 生産技術・品質保証 専門技術・ノウハウ
三次元実装(３D実装)および(TSV，TGVなどの)貫通電極に関する微細加工，材料技術，試験評価の動き【提携セミナー】
| 開催日時 | 2025/8/27（水）10:15~16:45 |
|---|---|
| 担当講師 | 菊地 克弥 氏 |
| 開催場所 | Zoomによるオンライン受講 |
| 定員 | 30名 |
| 受講費 | 66,000円(税込) |
★熱管理・機械的応力 ， 信号遅延やノイズ ， 絶縁確保や電気的課題，
★ガラス基板のクラックおよび熱損傷による微細な欠陥対策 ，今後の技術課題と展望
三次元実装(３D実装)および(TSV，TGVなどの)貫通電極に関する
微細加工，材料技術，試験評価の動き
【提携セミナー】
主催：株式会社技術情報協会
講座内容
生成AIといった新しいアプリケーションの出現などにより，AI・量子技術への注目が高まっている。 これらの根幹となる半導体デバイスや量子デバイスにおいて，集積化技術が求められており， その中でも，3次元方向へ集積化する3次元集積実装技術への注目が非常に高まっている。この講座では， その3次元集積実装技術の貫通電極および接合技術の技術開発動向について解説する。
習得できる知識
・先端デバイス集積化に向けた3次元集積実装技術と貫通電極および接合技術の技術開発動向
・レーザーを用いたガラス貫通穴加工技術
・三次元実装や貫通電極に用いられる電解銅めっき技術
・レーザ改質と分子接合剤による三次元回路配線パターン形成技術
担当講師
【第1部】(国研)産業技術総合研究所 ハイブリッド機能集積研究部門 研究グループ長 菊地 克弥 氏
【第2部】(国研)理化学研究所 光量子工学研究センター 先端レーザー加工研究チーム チームディレクター 工学博士，セゲド大学(ハンガリー)名誉博士 杉岡 幸次 氏
【第3部】特定非営利活動法人 サーキットネットワーク 理事 事務局長 博士(工学) 大久保 利一 氏
【第4部】(地独)岩手県工業技術センター 電子情報システム部 上席専門研究員 博士(工学) 目黒 和幸 氏
セミナープログラム（予定）
【１０：１５～１１：４５】
第１部 先端デバイス集積化に向けた3次元集積実装技術と貫通電極および接合技術の技術開発動向
●講師 (国研)産業技術総合研究所 ハイブリッド機能集積研究部門 研究グループ長 菊地 克弥 氏
１．半導体実装技術における3次元集積実装技術
1.1 半導体実装技術の歴史
1.2 先端半導体集積化に向けた3次元集積実装技術
２．3次元集積実装技術の研究開発
2.1 国家プロジェクトにおける3次元集積実装技術の研究開発
2.2 シリコン貫通電極の技術開発
2.3 ハイブリッド接合技術を含む微細電極接続の技術開発
３．３次元集積実装技術のさらなる展開に向けて
3.1 超伝導量子コンピュータの大規模集積化に向けた3次元集積実装技術
3.2 超伝導バンプ接続技術
3.3 超伝導直接接合技術
４．まとめ
【質疑応答】
－－－－－－－－－－－－－－－－
【１２：３０～１３：４５】
第２部 レーザーを用いたガラス貫通穴加工技術
●講師 (国研)理化学研究所 光量子工学研究センター 先端レーザー加工研究チーム チームディレクター 工学博士，セゲド大学(ハンガリー)名誉博士 杉岡 幸次 氏
１．先端半導体デバイス
1.1 チップレットとインターポーザ
1.2 ガラスインターポーザの必要性
1.3 ガラスインターポーザの要求性能
1.4 ガラスインターポーザの作製方法
２．レーザー加工
2.1 レーザー加工の特長
2.2 超短パルスレーザー加工
2.3 ビーム整形加工
2.3.1 ベッセルビーム加工
2.3.2 GHzバーストモード加工
３．レーザーによるガラス穴あけ加工技術
3.1 エキシマレーザー直接加工
3.2 超短パルスレーザー直接加工
3.3 過渡選択的レーザー加工
3.4 超短パルスレーザー支援選択エッチング
3.5 インターポーザ以外の応用
４．まとめおよび将来展望
【質疑応答】
－－－－－－－－－－－－－－－－
【１４：００～１５：１５】
第３部 三次元実装や貫通電極に用いられる電解銅めっき技術
●講師 特定非営利活動法人 サーキットネットワーク 理事 事務局長 博士(工学) 大久保 利一 氏
１．最近の主な先端半導体実装基板
1.1 FC-BGA
1.2 チップレット
1.3 CoWoS (Chip on Wafer on Substrate)
1.4 シリコンインターポーザ
1.5 ファンアウトパッケージ（FO-WLP, FO-PLP)
1.6 ガラス基板
1.7 ブリッジインターポーザ
２．三次元実装や貫通電極に用いられる電解銅めっき技術
2.1 めっきプロセス
・セミアディティブプロセス
・ダマシンプロセス
・ビアフィリング
2.2 電解銅めっきの基本的概念
・めっき装置
・めっき液
・添加剤
・電流分布
2.3 ビアフィリングのメカニズム
【質疑応答】
－－－－－－－－－－－－－－－－
【１５：３０～１６：４５】
第４部 レーザ改質と分子接合剤による三次元回路配線パターン形成技術
●講師 (地独)岩手県工業技術センター 電子情報システム部 上席専門研究員 博士(工学) 目黒 和幸 氏
１．三次元成型回路部品 3D-MID
1.1 3D-MIDとは
1.2 3D-MIDの用途
1.3 3D-MIDの製造工法と特徴
２．レーザを用いた表面改質による配線形成
2.1 フェムト秒レーザの特徴
2.2 微細配線および透明材料への配線形成事例
３．分子接合技術による配線形成
3.1 分子接合技術による無粗化・高密着めっきプロセス
3.2 立体物への配線形成
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
2025/8/27（水）10:15~16:45
開催場所
Zoomによるオンライン受講
受講料
1名につき66,000円(消費税込､資料付)
〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき60,500円〕
備考
資料は事前に紙で郵送いたします。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。
※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。
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