＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞
プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による

高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術／課題と対策を解説■

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ

★ 30年以上の実績・経験がある装置メーカーから、実務レベルで解説いたします！

セミナー趣旨

当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

＜得られる知識・技術＞

プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

担当講師

SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長　兼　生産管理グループ長　兼　マーケティング部 マネジャー　金尾 寛人　氏

【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月　名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業．
1989年4月　住友金属工業(株)に入社．
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月　住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング（現在）
【WebSite】
https://www.spp-technologies.co.jp/

セミナープログラム（予定）

＜プログラム＞
１．プラズマCVD装置の基本構造
1.1 プラズマCVD装置の構成
1.2 反応チャンバーの基本構成

２．プラズマCVD装置の用途
2.1 適用アプリケーション

３．プラズマCVD装置のプロセス性能
3.1 SiH4系SiO2膜
3.2 SiH4系SiN膜
3.3 SiH4系SiON膜
3.4 SiH4系a-Si膜
3.5 SiH4系SiC膜
3.6 TEOS系SiO2膜
3.7 液体ソース系SiN膜

４．開発用装置と量産用装置
4.1 プラットフォーム

５．プラズマCVD装置の課題と対策
5.1 高レート化
5.2 プロセスの再現性
5.3 低パーティクル
5.4 チャンバークリーニング
5.5 ウェーハ温度の低温化
5.6 ウェーハ大口径化　　など

　　□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【Live配信】 2024年5月22日（水） 13:00～16:30
【アーカイブ配信】 2024年6月4日（火） から配信開始【視聴期間：6/4(火)～6/17(月)】

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

一般受講：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

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2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​／1名あたり定価半額24,750円)

※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】

1名申込みの場合：受講料( 定価：37,400円／E-mail案内登録価格 35,640円 )

定価：本体34,000円＋税3,400円
E-mail案内登録価格：本体32,400円＋税3,240円

※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。

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配布資料

• PDFデータ(印刷可・編集不可)
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備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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