フォトレジストの基礎と最新動向【提携セミナー】

　　セミナー　　化学/素材　　フォトレジストの基礎と最新動向【提携セミナー】

開催日時	2025/11/7 (金)　10:30-16:30　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。
担当講師	堀邊英夫氏藤森亨氏
開催場所	Zoomによるオンラインセミナー
定員	-
受講費	【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名50,600円(税込（消費税10％）、資料付) 【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名56,100円(税込（消費税10％）、資料付)

フォトレジストの基礎と最新動向

材料・プロセス・装置の評価法とトラブル対策、

EUVレジストの最新動向とPFAS規制の影響について

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

本セミナーでは、フォトレジスト技術の基礎から最先端のEUV・メタルレジスト材料の動向までを一日で体系的に解説します。
また、近年注目されるPFAS規制がレジスト材料に与える影響についても、最新の情報を踏まえてご紹介します。

セミナー趣旨

※セミナープログラム参照願います。

担当講師

大阪公立大学　大学院工学研究科　物質化学生命系専攻
化学バイオ工学分野　高分子化学研究室　教授　堀邊英夫氏

株式会社日立ハイテク　ナノテクノロジーソリューション事業統括本部　事業戦略本部
主任技師（先端レジスト計測ソリューション担当）　藤森亨氏

セミナープログラム（予定）

セミナー内容　第1部

『レジスト材料・プロセス・装置の有効な評価法とトラブル対策』
10：30－12：00、13：00－14：30
担当：堀邊英夫氏

■はじめに

本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について、レジスト塗布技術の基礎から密着性を含む現像特性を説明し、
レジスト剥離工程においては従来の剥離技術に対する新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について紹介する。
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、
洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。
本セミナーでは、レジストの密着性を含む現像特性全般について講演するとともに、特に、レジスト剥離工程において従来の剥離技術、及び新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について紹介する。また、イオン注入されたレジストの構造についても言及する。

■想定される主な受講対象者

・レジスト材料研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方。
・業務に活かすため、レジスト、レジスト剥離についての知見を得たいと考えている方
・レジストに取り組んでいるが、感度、解像度、基盤とも密着性のような課題があり困っている方
・本テーマに興味のある方なら、どなたでも受講可能です。

■本セミナーに参加して修得できること
・レジストの基礎知識
・レジスト材料のノウハウ
・レジストプロセスのトラブル対処法
・リソグラフィー技術のビジネス動向

■講演プログラム

1. 半導体とレジストについて
1-1．半導体の微細化
1-2．電子デバイスの製造工程
1-3．レジスト解像度とレジスト材料の変遷
1-4．半導体プロセスにおける各種レジスト
1-5．レジストに要求される特性
1-6．EUVレジストに求められる特性

2. レジストの基本原理
2-1．レジストの基本原理（光化学反応）
2-2．レジストの現像特性（溶解性）
2-3．リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
2-4．i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
2-5．KrF用，ArF用レジスト（化学増幅型）
2-6．レジストの解像度向上

3．レジストとSi基板との密着性について
3-1．レジストの密着性の向上
3-2．HMDSの感度特性への影響
3-3．紫外光透過率のHMDS依存性

4．ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
4-1．レジストの現像特性の評価
4-2．レジストの分子量と溶解特性の関係
4-3．レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
4-4．プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
4-5．PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価

5. 水素ラジカルを用いた環境にやさしいレジスト除去技術
5-1．原子状水素によるレジスト除去速度の向上
・反応メカニズムについて検討
5-2．半導体プロセスにおける各種レジストの除去
・イオン注入レジストの除去
・化学構造の異なるレジストの除去
5-3．レジスト除去時の下地Si基板へのダメージ評価

6. オゾンマイクロバブルを用いたポリマー薄膜 (レジスト) の分解
6-1．ノボラック樹脂の除去 (pH依存性、温度依存性)
6-2．化学構造の異なるポリマーの除去
・ノボラック樹脂
・ポリビニルフェノール
・ポリメタクリル酸メチル)
6-3．オゾンマイクロバブル水溶液中での有機物の分解

セミナー内容　第2部

『最新のレジスト材料開発動向（EUVレジスト最新動向と、PFAS規制の影響）』
14：45－16：30
担当：藤森亨氏

■はじめに

2019年、30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついにEUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は、まだ序章に過ぎず多くの課題を抱えており、6年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。
本セミナーでは、EUV用フォトレジスト材料に関し、EUVリソグラフィ特有の難度の高い課題の解説から、化学増幅型レジスト(CAR)やメタルレジスト（MOR）および新材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS 規制のレジストへの影響に関し解説する。

■想定される主な受講対象者

本テーマにご関心のある化学材料メーカー（特に原材料メーカー）や周辺部材メーカーの方々。
特に、若手研究者やマーケティング担当従事者、新規分野探索担当の方など。
新人教育や新たに担当になった方の導入にも最適です。

■本セミナーに参加して修得できること

リソグラフィの基礎、フォトレジストの歴史、EUVレジストの課題と開発動向

■講演プログラム

1. リソグラフィ微細化の歴史
1）リソグラフィプロセス概要
2）簡単ではなかった露光波長短波化による微細化の歴史
3）露光波長短波化をささえるフォトレジスト材料の進化
I-line →　KrF　→　ArF　→　ArF液浸
4） ArF液浸リソグラフィ延命、Negative Tone Development （NTD）技術

2. EUVリソグラフィ
1） EUVリソグラフィの歴史、実現のための３つの要素とその重要度の推移
2）従来と異なる反応機構の特徴
3） EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か
4）リソグラフィ工程におけるストカスティック因子の分析の解決策例
5）化学増幅型レジストによる高性能化
6）メタルレジストの誕生秘話と歴史
7）メタルレジストの特徴
8）メタルレジストの性能と最新動向（ドライって何？）
9）さらなる進化系、有機分子を蒸着したMolecular Wirer　レジストなど最新動向

3. PFAS規制の影響
1） PFAS規制とは？
2） PFAS規制のレジスト材料への影響
3） PFAS freeレジストの開発動向

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2025年11月7日(金)　10:30-16:30　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

受講料

【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 56,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき45,100円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

●録音・撮影行為は固くお断り致します。

オンライン配信のご案内

★　Zoomによるオンライン配信

★　見逃し視聴

については、こちらをご参照ください

配布資料

●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付いたします。

お申込みの際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。（土、日、祝日は営業日としてカウントしません。）
それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。ご了承の上お申込みください。
資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。