酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向【提携セミナー】

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開催日時	未定
担当講師	上村崇史氏
開催場所	未定
定員	未定
受講費	未定

★酸化ガリウムデバイス開発の最前線！

～バルク・基板作製、プロセス要素技術、デバイス特性を上流から下流まで徹底解説～

酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

喫緊の課題である地球温暖化を防ぐために世界中で低炭素社会実現を目指した取り組みが行われています。

エレクトロニクス分野では、電力変換の高効率化が必要不可欠であり、そのためにはシリコンデバイスを超える高性能なパワーデバイスが必須です。
日本発のパワーデバイス材料である酸化ガリウムは、その材料特性の持つ利点から炭化ケイ素デバイスや窒化ガリウムデバイスを凌ぐ高効率パワーデバイスの実現が期待されています。

また、シリコン同様に融液成長法によりバルク製造が可能なため、安価に大口径単結晶基板を得られる可能性があり、コスト面においても大きなアドバンテージを持つと考えられます。

さらに、酸化ガリウムデバイスは、高温、放射線、腐食性ガス環境にも耐えうる物性から極限環境におけるＩｏＴを実現するデバイスとしての応用へも期待されています。

本セミナーでは、酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、デバイス開発の進展について解説します。

◆受講後、習得できること

デバイス開発に向けた酸化ガリウム材料のメリット、デメリット
酸化ガリウムデバイスの各種応用について
酸化ガリウムデバイスのデバイス作製技術について
基板作製、エピ膜成長、デバイス開発の各種要素技術の開発
酸化ガリウム研究開発の経緯と最先端の成果について

担当講師

国立研究開発法人情報通信研究機構　研究マネージャー　博士（工学）上村崇史氏

■主経歴等
2006年 3月：大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻博士後期課程修了：博士（工学）
その後、日本学術振興会特別研究員等ポスドクとして従事
学位取得、ポスドク期間では一貫してナノカーボン系材料の量子力学的効果を応用した電子デバイスの研究開発に従事。キーワードとして、単一電子トランジスタ、共鳴トンネルトランジスタ、単電荷メモリ、近藤効果。

2013年4月国立研究開発法人情報通信研究機構（NICT）入職。
NICT発の技術である酸化ガリウムデバイスの研究開発に黎明期から一貫して従事。
特に、横型高周波トランジスタ、縦型パワースイッチングトランジスタの高周波化、高耐圧化、高電力化を担う。またプロセス技術、評価技術の開発にも取り組む。

2017年10月～：国立大学法人東京農工大学・非常勤講師兼務

■専門および得意な分野・研究
パワーデバイス
高周波デバイス
量子効果デバイス

■本テーマ関連の専門学協会及び国家プロジェクト等での委員会活動
第4回酸化ガリウムおよび関連材料国際ワークショップ(4thInternational Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 略称：IWG0-4)・実行委員会委員・出版委員