自動車を取り巻く規制動向と自動車の軽量化技術およびリサイクル技術動向
【Live配信:アーカイブ付き】 2023/12/19(火)13:00~16:30
お問い合わせ
03-6206-4966
開催日時 | 2023/10/16(月)10:30~16:30 |
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担当講師 | 岩室 憲幸 氏 |
開催場所 | 【Live配信:アーカイブ付き】 オンライン配信セミナー |
定員 | - |
受講費 | 通常申込:55,000円 E-Mail案内登録価格: 52,250円 |
■最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで■
【提携セミナー】
主催:サイエンス&テクノロジー株式会社
受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!
★ 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向とは?
半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説します。
2023年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
<得られる知識・技術>
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1.「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 (科学情報出版, 2019年9月)
2.“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)
3.(監修書)「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」(㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月)
4.「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」(㈱シーエムシー出版, 2021年8月)
5.(編集書)「世界を動かすパワー半導体 -IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」(電気学会2008年12月 )
【受賞】
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
【WebSite】
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
<プログラム>
1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とは何?
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 最近のトピックスから
1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-7 パワーデバイス開発のポイント
2.最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2-7 シリコンIGBTの実装技術
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
4-5ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
4-6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
6.SiCパワーデバイス実装技術の進展
5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
5-2 銀または銅焼結接合技術
5-3 SiC-MOSFETモジュール技術
7.まとめ
□質疑応答□
【Live配信:アーカイブ付き】 2023/10/16(月)10:30~16:30
【Live配信:アーカイブ付き】 オンライン配信セミナー
一般受講:本体50,000円+税5,000円
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