自動車の電動化に向けた、

シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の

最新状況と今後の動向

■最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで■

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説！
★ 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向とは？
半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説します。

セミナー趣旨

2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

＜得られる知識・技術＞
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

担当講師

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月-　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版, 2019年9月）
2．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆　(Elsevier, Oct. 2018)
3．（監修書）「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス　2022年2月）
4．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）
5．（編集書）「世界を動かすパワー半導体　－IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）
【受賞】
日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)
電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)
電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)
【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
【WebSite】
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/

セミナープログラム（予定）

＜プログラム＞

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 最近のトピックスから
1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2-7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 縦型GaNデバイスの最新動向

５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
5-2 銀または銅焼結接合技術
5-3 SiC-MOSFETモジュール技術

７．まとめ

□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【Live配信：アーカイブ付き】 2023/10/16（月）10:30～16:30

開催場所

【Live配信：アーカイブ付き】 オンライン配信セミナー

受講料

一般受講：本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額27,500円)

※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合：受講料( 定価：40,150円／E-mail案内登録価格 38,170円 )

定価：本体36,500円＋税3,650円
E-mail案内登録価格：本体34,700円＋税3,470円

※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※※お申込みフォームのメッセージ欄に【テレワーク応援キャンペーン希望】とご記載ください。
※他の割引は併用できません。

★【S&T会員登録】と【E-Mail案内登録】の詳細についてはこちらをご参照ください。

※E-Mail案内登録をご希望の方は、申込みフォームのメッセージ本文欄に「E-Mail案内登録希望」と記載してください。ご登録いただくと、今回のお申込みからE-mail案内登録価格が適用されます。

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、主催者サイトのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信のご案内

※【Live配信（zoom使用）対応セミナー】についてはこちらをご参照ください

※【WEBセミナー：アーカイブ受講対応セミナー】についてはこちらをご参照ください

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
★【Live配信】【アーカイブ受講】のいずれかから、ご希望される受講形態をメッセージ欄に明記してください。