ミストCVD法の基礎と酸化ガリウムのパワーデバイスへ向けた結晶成長・薄膜形成技術【提携セミナー】

化学AI技術_計算化学応用

ミストCVD法の基礎と酸化ガリウムのパワーデバイスへ向けた結晶成長・薄膜形成技術【提携セミナー】

このセミナーは終了しました。次回の開催は未定です。

開催日時 2022/8/30(火)13:00~17:00
担当講師

西中 浩之 氏

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

定員 -
受講費 非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 44,000円 (本体価格:40,000円)
高周波デバイスの低コスト化に向けて

 

ミストCVD法の基礎と酸化ガリウムの

パワーデバイスへ向けた

結晶成長・薄膜形成技術

 

酸化ガリウム(Ga2O3)を低コストで成膜する技術のミストCVD法と

パワーデバイス応用に重要な不純物添加技術や混晶化技術について詳解!

 

【提携セミナー】

主催:株式会社R&D支援センター

 


 

◆セミナー趣旨

本講演では、低コストの成膜方法として期待されているミストCVD法と、大きなバンドギャップと低コストで形成できる酸化ガリウム(Ga2O3)について紹介する。そのGa2O3は5つの結晶多形が存在し、その結晶多形によって異なる特徴を持つことから、それぞれ異なるデバイスへの応用が検討されている。その結晶多形の特徴や形成技術、またそれぞれの課題などについて説明する。また、論文や特許調査から酸化ガリウムに取り組んでいる研究機関などについても紹介する。形成技術については講演者が開発したミストCVD法を中心に、MBE法やMOCVD法などの手法でのそれぞれの結晶多形についての例を紹介する。また、パワーデバイス応用に重要な不純物添加技術や混晶化技術についても紹介する。

 

◆習得できる知識

ミストCVD法の原理
ミストCVD法の歴史
酸化ガリウムの基礎物性
酸化ガリウムの結晶成長技術
酸化ガリウムの各種形成方法

 

◆キーワード

Ga2O3,薄膜形成,結晶成長,結晶多形,不純物添加,混晶化,パワーデバイス,セミナー

 

担当講師

京都工芸繊維大学 電気電子工学系 准教授 博士(工学) 西中 浩之 氏

 

セミナープログラム(予定)

1.ミストCVD法
1-1.ミストCVD法の原理
1-2.ミストCVD法の歴史
1-3.ミストCVD法の成膜例(Ga2O3以外)

 

2.酸化ガリウムの基礎物性
2-1.酸化ガリウムのデバイス構造からみた開発のポイント
2-2.酸化ガリウムの結晶多形
2-3.酸化ガリウムの研究機関

 

3.酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
3-1.結晶成長・薄膜形成方法
3-2.酸化ガリウムで用いられる結晶成長・薄膜形成方法

 

4.α相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
4-1.α-Ga2O3の結晶成長
4-2.成長法
4-3.課題と高品質化
4-4.混晶化技術
4-5.デバイス動作(結晶成長から見た)
4-6.n型制御
4-7.p型制御

 

5.β相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
5-1.β-Ga2O3の結晶成長
5-2.成長法
5-3.n型制御
5-4.混晶化技術
5-5.デバイス動作(結晶成長から見た)

 

6.κ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
6-1.κ-Ga2O3の結晶成長
6-2.成長法
6-3.強誘電体特性とHEMT
6-4.混晶化技術
6-5.高品質化

 

7.γ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
7-1.γ-Ga2O3の結晶成長
7-2.混晶化技術
7-3.成長法

 

8.結晶多形の制御方法

 

9.まとめと展望

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2022年08月30日(火) 13:00~17:00

 

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

 

受講料

非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 44,000円 (本体価格:40,000円)

 

会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円(税込)から

  • 1名で申込の場合、44,000円(税込)へ割引になります。
  • 2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円(2人目無料)です。
  • 3名以上での申込は1名につき24,750円

 

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備考

資料付

 

  • セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
    無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

 

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