○近年、特に注目を浴びている薄膜形成技術「ALD／ALE」のセミナーを再開講！

○原理・材料・装置の仕組み等の基礎から、パワーデバイス・

太陽電池・LSI・半導体材料等への応用、現状課題と展望までを詳解。

ALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）

技術の基礎と応用、現状課題と展望まで

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

◆　はじめに：

AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。

本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

◆　受講対象者：

• 半導体プロセス・デバイスの初学者
• ALD技術の導入を検討している技術者
• 本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能。

◆　必要な予備知識：

半導体プロセスに興味のある方なら、特に予備知識の必要はない。

◆　本セミナーで習得できること：

• ALD/ALE技術の基礎
• 薄膜形成技術の基礎
• 薄膜加工技術の基礎
• 薄膜を使った半導体デバイスの動作原理
• 薄膜デバイスの信頼性評価方法
  など

担当講師

奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学領域　教授　浦岡 行治  氏

セミナープログラム（予定）

１．薄膜形成技術
1.1　薄膜作製/加工の基礎
1.2　薄膜の評価手法
1.2.1　電気的評価
1.2.2　化学的分析手法
1.2.3　光学的評価手法

２．ALD技術の基礎
　2.1　ALD技術の原理
2.2　ALD薄膜の特長
2.3　ALD技術の歴史
2.4　ALD装置の仕組み
2.5　ALD技術の材料

３．ALE技術の基礎
3.1　ALE技術の原理
3.2　ALEの歴史
3.3　ALEの特長
3.4　ALE技術の課題

４．ALD技術の応用
4.1　パワーデバイスへの応用
4.2　酸化物薄膜トランジスタへの応用
4.3　MOS LSIへの応用
4.4　太陽電池への応用

５．ALE技術の応用事例
5.1　シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
5.2　シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
5.3　Co等金属膜への応用

６．ALD/ALE技術の将来
6.1　ALD/ALE技術の課題
6.2　ALD/ALE技術の展望

＜質疑応答＞

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023年12月11日（月）　10:00-16:00　＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

オンライン配信のご案内

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については、こちらをご参照ください

受講

【オンライン：見逃し視聴なし】　1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンライン：見逃し視聴あり】　1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

配布資料

※配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
　（開催1週前～前日までには送付致します）。
＊準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）

備考

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
（全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

お申し込み方法

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