SiCパワーデバイスの概要,その信頼性と国際規格動向対応,今後の展望【提携セミナー】
開催日時 | 【Live配信】2025/6/4(水)10:30~16:30, 【アーカイブ】2025/6/11まで受付(視聴期間:6/11~6/20まで) |
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担当講師 | 瀬戸屋 孝 氏 |
開催場所 | Zoomを利用したLive配信 または アーカイブ配信 |
定員 | 30名 |
受講費 | 55,000円(税込) |
★「熱」的なトラブル,EMI対策,歩留まり ・・・ 「 Si 」系 と 「 SiC 」系 の工業的な難しさの違いとは?
★信頼性の評価項目,標準化の行方 , SiCウェハの市場供給展望 , 新しい用途開発
SiCパワーデバイスの概要,
その信頼性と国際規格動向対応,今後の展望
【提携セミナー】
主催:株式会社技術情報協会
講座内容
SiCパワーデバイスは,電力変換効率や高温耐性に優れ,今後の産業において重要な役割を果たします。 本セミナーでは,SiCパワーデバイスの信頼性向上に向けた最新技術や課題,さらに国際規格の動向について深掘りします。技術者や設計者にとって,実務に役立つ知識を提供し,最新の規格に対応するための具体的な対策を学ぶことができます。SiC技術の導入や品質向上に向けた重要な情報を得られる貴重な機会です。
習得できる知識
・SiCデバイスの市場動向
・SiCデバイスの信頼性と国際規格動向
・SiCデバイスの今後の展望,まとめ
担当講師
(一財)日本電子部品信頼性センター 運営委員 瀬戸屋 孝 氏
【元・東芝】
セミナープログラム(予定)
1.はじめに
1.1 SiCデバイスの市場動向
a.SiCデバイスの品質レベル向上のインパクト
b.鉄道から普及が始めるSiC場デバイス
1.2 SiCデバイスの特徴と課題
2.SiCデバイスの信頼性と国際規格動向
2.1 ゲート閾値電圧測定法
a.ゲート閾値電圧測定の基礎
b.ゲート閾値電圧測定法の種類と特徴
2.2 AC-BTI試験法
a.SiCデバイスのDCとAC-BTIの劣化
b.国際標準化の状況
2.3 ゲート酸化膜信頼性 (TDDB)
a.SiCのTDDB試験法と課題
b.TDDB試験方法の国際動向
2.4 Dynamic HTFB試験法
a.急激に進展する中国SiC材料メーカ
b.SiC結晶欠陥と材料評価としての Dynamic HTFB試験法
2.5 Powe Cycle 試験法
a.SiCデバイスのPw-Cycleの課題
b.Pw-Cycle試験方法の国際動向
3.SiCデバイスの今後の展望,まとめ
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
【Live配信】2025/6/4(水)10:30~16:30, 【アーカイブ】2025/6/11まで受付(視聴期間:6/11~6/20まで)
開催場所
Zoomを利用したLive配信 または アーカイブ配信
受講料
1名につき 55,000円(消費税込、資料付)
〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき49,500円〕
備考
資料は事前に紙で郵送いたします。
お申し込み方法
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※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。
※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。