半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、

基礎から先端研究事例までを解説・紹介します！

半導体表面における

ウェットプロセスの基礎と最新動向

《ウェット洗浄から極微表面計測、触媒アシストエッチングまで》

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

★　新型コロナウイルス（COVID-19）感染症対策について　 ★

2020年4月10日から当面の間、R&D支援センターが主催するセミナーでは、以下のような対策を徹底して実施いたします。

【新型コロナウイルス（COVID-19）感染症対策】
・発熱、風邪等の症状がある方は受講をご遠慮いただく。
・定員を少数にして、講師との距離、受講者間の距離を確保する。（一部のセミナーを除く）
・約1時間に1度休憩をとって換気を行う。（外窓や入口ドアの開放、換気扇の使用等）
・衛生面を考慮して、無料で提供していた昼食の弁当配布を休止する。
・会場にアルコール消毒液を設置する。こまめな手洗い、手指の消毒にご協力ください。
・マスクの用意、咳エチケットの徹底を受講される皆様にお願いする。
・原則としてスタッフと講師もマスクを着用する。

【キャンセル規定】
開催日から起算して営業日で8日前までにご連絡をいただければ、キャンセルを受け付けます。それ以降は欠席扱いとなり、テキストを郵送させていただきます。

高い性能や信頼性を持つ半導体デバイスを製造し続けるためには、基板となる半導体の表面状態（汚染や構造）を高度に制御する必要があります。純水や薬液をベースとしたウェットプロセスは、高品質の半導体表面を安定的に実現する上で、欠かすことができない基盤技術であり、ウェット洗浄を始めとして、その重要性は益々増しています。またウェットプロセスの性能向上には、固液界面現象を支配するサイエンスの理解が不可欠です。これには、ウェットプロセスを経た半導体表面を原子・分子レベルで分析できる計測・評価技術が必要です。

また今世紀に入り、金属アシストエッチングと呼ばれる、半導体表面における新たなマイクロ・ナノ加工法が登場しました。ウェットエッチングとドライエッチングに次ぐ、第三のエッチング法として、近年、注目が高まっています。高いアスペクト比を持つ深掘り加工が溶液中で実現できる点が特徴です。

本講義では、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介します。

◆　受講対象・レベル

• 半導体プロセス業務にたずさわって2~3年の若手技術者や新人の方。

◆　必要な予備知識

• 特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

◆　習得できる知識

半導体製造におけるウェットプロセスを固液（半導体／溶液）界面での原子・分子レベルでの物理・化学現象として捉えることができます。このようなトレーニングにより、将来必要とされる、極限レベルでのウェット生産技術の設計・開発に役立つと期待されます。

◆　キーワード

• 半導体,エッチング,加工,ウエット,分析,洗浄,研修,講座,セミナー

担当講師

大阪大学 大学院 工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース 准教授 博士（工学）　有馬 健太 氏

セミナープログラム（予定）

１． はじめに
1-1. 半導体基板と半導体デバイス
1-2. Siウエハとは
1-3. 半導体デバイスの性能に影響を与える基板表面の諸特性
（１） 代表的な三つの汚染（微粒子、金属、有機物）
（２） 表面マイクロラフネス
（３） その他

２． 半導体表面におけるウェットプロセス 
2-1. Si表面の研磨技術（Chemical Mechanical Polishing（CMP））
2-2. Si表面の洗浄技術
（１） ウェット洗浄とドライ洗浄
（２） RCA洗浄
（３） 洗浄液による汚染除去のメカニズム
（４） RCA洗浄からの脱却を目指す新ウェット洗浄の開発状況
2-3. クリーンルーム技術
2-4. 多様な半導体材料と諸特性

３． ウェットプロセスを経た半導体表面の分析・評価法の基礎
3-1. 表面汚染を検出するための高感度表面分析法
3-2. 表面形状を観察するための測定技術（光干渉法）
3-3. ナノスケール領域の表面構造に関する評価技術
（１） 走査型プローブ顕微鏡
（２） 赤外吸収分光法
3-4. 半導体表面上の薄膜評価技術
（１） X線光電子分光法
（２） 表面濡れ特性

４． H終端化Si表面の原子構造制御
4-1. Si表面の面方位と原子構造
4-2. フッ酸浸漬後のH終端化Si(111)表面の原子構造
4-3. フッ酸浸漬後のH終端化Si(100)表面の原子構造
4-4. 超純水リンスがH終端化Si(100)表面の原子構造に与える影響
4-5. ウェットプロセスによるSi(110)表面の原子構造制御

５． 触媒アシストエッチングによる半導体表面のマイクロ・ナノ加工
5-1. 半導体プロセスにおける微細加工
（１） ドライエッチング
（２） ウェットエッチング
5-2. 触媒アシストエッチングとは
（１） 金属を触媒とした“金属アシストエッチング”の歴史
（２） 他のエッチング法との比較
（３） Si表面における金属アシストエッチングの基本原理
（４） 金属アシストエッチングで実現できる表面ナノ構造の例
5-3. Siナノワイヤ構造を例とした金属アシストエッチング
（１） Si表面の構造に影響を与える実験パラメータ
（２） 太陽電池におけるSiナノワイヤ構造
（３） Siナノワイヤの配列制御方法
5-4. 金属アシストエッチングのアプリケーション
（１） Si以外の半導体基板を用いた実施例
（２） X線用光学素子の作製
（３） Siウエハ切断プロセス
（４） ブラックシリコン表面の形成
（５） 超撥水Si表面の形成

６． 先端研究事例の紹介

【質疑応答・名刺交換】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2021年06月11日（金）10:30～16:30

開催場所

大阪市中央区本町1-4-5　大阪産業創造館　5F　研修室E

定員

15名

※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。

受講料

非会員：  55,000円（税込）
会員：      49,500円（税込）

※会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から
★1名で申込の場合、 49,500円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計 55,000円（2人目無料）です。

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備考

資料付

お申し込み方法

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