半導体ドライエッチングの基礎と最新技術【提携セミナー】
開催日時 | 2021/12/20(月)10:30~16:30 |
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担当講師 | 浜口 智志 氏 |
開催場所 | 【ZOOMを使ったLIVE配信セミナー】 |
定員 | 30名 |
受講費 | 非会員: 55,000円 (本体価格:50,000円) 会員: 44,000円 (本体価格:40,000円) |
半導体ドライエッチングの基礎と最新技術
反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、
熱原子層エッチング(thermal ALE)など
【提携セミナー】
主催:株式会社R&D支援センター
◆セミナー趣旨
本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。
具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング(RIE)から、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。
関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
◆習得できる知識
- エッチング用プラズマ装置の基礎
- プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
- 反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)の特徴と応用
◆受講対象
半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方
(初心者から中級者まで)
◆キーワード
半導体,ドライ,エッチング,プラズマ,ALD,ALE,原子層,入門,講座,研修,セミナー
担当講師
大阪大学 工学研究科 アトミックデザイン研究センター
教授 理学博士・Ph.D. 浜口 智志 氏
【略歴】
1982年 東京大学理学部物理学科卒業
1987年 同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
1988年 ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
1988年-1990年 テキサス大学物理学科核融合研究所・研究員
1990年-1998年 IBM ワトソン研究所・主任研究員
1998年-2004年 京都大学エネルギー科学研究科・助教授
2004年-現在 大阪大学工学研究科・教授
【学会活動等】
国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、Journal of Plasma Medicine 編集委員長、Journal of Physics D: Applied Physics 編集委員、プラズマ医療国際学会(IPMS)元会長、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)元分科会長、等歴任。:米国物理学会(APS)フェロー、米国真空学会(AVS)フェロー
セミナープログラム(予定)
1.背景
2.プラズマ科学の基礎
3.代表的なプラズマプロセス装置
a.容量結合型プラズマ(CCP)装置
b.誘導結合型プラズマ(ICP)装置
4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
a.プラズマ表面相互作用
b.表面帯電効果
c.シリコン系材料エッチング反応機構
d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
e.高アスペクト比(HAR)エッチング概要
5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として
6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として
a.熱ALD
b.プラズマ支援(PA-)ALD
7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
a.PA-ALE
b.熱ALE:リガンド交換
c.熱ALE:金属錯体形成
8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
9.まとめ
<質疑応答>
公開セミナーの次回開催予定
開催日
2021年12月20日(月) 10:30~16:30
開催場所
【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます
受講料
非会員: 55,000円 (本体価格:50,000円)
会員: 44,000円 (本体価格:40,000円)
会員の方あるいは申込時に会員登録される方は、受講料が1名55,000円(税込)から
・1名44,000円(税込)に割引になります。
・2名申込の場合は計55,000円(2人目無料)になります。両名の会員登録が必要です。
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