★益々進む半導体集積回路の微細化／三次元化に伴い、

今後の半導体製造プロセスには、更に進んだエッチング技術が必要に！

★メーカーで様々なエッチングに携わってきた経験豊富な講師が、

最先端の技術トレンドや実経験におけるトラブル事例などを交えながら分かり易く解説します。

エッチングの基礎と最新技術

～ドライ／ウェットエッチングのメカニズムからプロセス技術、

各種材料のエッチング技術、原子層エッチング（ALE）まで～

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

プラズマを用いたドライエッチングや薬液を用いたウェットエッチングは、三次元NAND型フラッシュメモリ等の半導体集積回路を開発、製造する際に必要不可欠な技術である。モノのインターネット(IoT)の普及により、データ処理を担う半導体集積回路の微細化／三次元化は益々進んでおり、最小加工寸法が10ナノメートルを切る今後の半導体製造プロセスには、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められている。また，微細化限界後のポストスケーリング時代に向けて、新構造、新チャネル材料、積層化などが検討されており、III-V族化合物半導体など様々な新材料の加工技術が鍵を握る。

本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術，そして最先端の原子層エッチング（ALE）開発事例までを、メーカで化合物半導体光デバイスのエッチング技術やシリコンLSI向け先端エッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。

◆受講後、習得できること

ウェットエッチングの基礎知識，ドライエッチングの基礎知識，各種材料のエッチング技術，原子層エッチングの最前線　など

◆受講対象者

シリコン系，および化合物半導体系デバイスの開発に携わっている方　など

担当講師

（株）日立製作所 研究開発グループ　計測インテグレーションイノベーションセンタ

ナノプロセス研究部　主任研究員 博士（工学）

篠田 和典 先生

セミナープログラム（予定）

1. 半導体デバイスのトレンド／構造／製造プロセス
1) 半導体デバイスのトレンド
a) ロジックデバイス
b) メモリーデバイス
c) 光デバイス
2) 半導体デバイスの構造
a) ロジックデバイス
b) メモリーデバイス
c) 光デバイス
3) 半導体デバイスの製造プロセス

2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
1) エッチングプロセスの種類
2) エッチングプロセス技術
a) 高アスペクト比エッチング技術
b) 高速エッチング技術
c) 難エッチング材のエッチング技術
d) 高選択比エッチング技術
3) エッチングプロセスの課題
a) 3D-NANDエッチングの課題
b) ナノワイヤFETエッチングの課題
c) 光デバイスエッチングの課題

3. プラズマエッチングの基礎及びプロセス技術
1) プラズマエッチング装置の種類及び特徴
2) プラズマエッチングプロセスの特徴・要点
3) プラズマエッチングの原理
4) プラズマエッチングにおけるプロセス制御の考え方
a) エッチング反応
b) エッチング速度
c) エッチング選択比
d) エッチング形状
5) プラズマエッチング損傷
a) 損傷のメカニズム
b) 損傷の評価法
c) 損傷の低減策
d) プラズマエッチングとウェットエッチングの損傷比較
6) 各種材料のプラズマエッチング技術及びプロセス制御のポイント
a) Si
b) SiO2
c) Si3N4
d) GaAs
e) InP
f) GaN

4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
1) ウェットエッチングの原理
a) エッチング液の構成と化学反応
b) 酸化剤および標準酸化還元電位
c) エッチング液に用いられる各種試薬
2) ウェットエッチングの律速過程
a) 反応律速と拡散律速
b) 半導体結晶構造と面方位依存性
3) ウェットエッチングにおけるプロセス制御の考え方
a) エッチング反応
b) エッチング速度
c) エッチング選択比
d) エッチング形状
4) 各種半導体のウェットエッチング技術及びプロセス制御のポイント
a) Si
b) SiO2
c) Si3N4
d) GaAs
e) InP
f) GaN

5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
1) 原子層プロセス技術のトレンド
2) 原子層エッチングの基礎と分類
3) 有機金属錯体反応を用いた熱ALE
a) La2O3
b) Co
4) プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
a) Si3N4
b) TiN
c) W
5) ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
a) SiO2
6) フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
b) Si3N4

6. 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
1) 光デバイスエッチングにおける凹凸発生
a) エッチャント組成最適化による平滑化
b) 平滑エッチングによるデバイス高信頼化

7. 今後の課題

　＜質疑応答＞

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023年9月14日（木）　10:30-16:30

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

●録音・撮影行為は固くお断り致します。

オンライン配信のご案内

★　Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

備考

※配布資料・講師への質問等について

●配布資料は、印刷物を郵送で送付致します。
お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。
お申込みは4営業日前までを推奨します。
それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、
テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
（全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

★【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】、【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】のいずれかから、ご希望される受講形態をメッセージ欄に明記してください。