パワーデバイスセミナー:電気自動車シフトではずみのついたパワーデバイス【提携セミナー】

知っておきたいパワーデバイスの基礎と回路への適用セミナー

パワーデバイスセミナー:電気自動車シフトではずみのついたパワーデバイス【提携セミナー】

このセミナーは終了しました。次回の開催は未定です。

開催日時 2021/05/24(月) 10:30~16:30
担当講師

岩室 憲幸 氏

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

定員 -
受講費 36,300円

パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術がわかります!
さらに市場動向、シリコンIGBTの強み。SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題まで

 

パワーデバイスセミナー:

電気自動車シフトではずみのついたパワーデバイス

 

パッケージ開発の最新技術
~シリコン(Si)およびSiC/GaNデバイスと実装の最新技術~

 

【提携セミナー】

主催:株式会社情報機構

 


 

2021年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。

 

しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これは言い換えると、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。

 

最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

 

■受講対象
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、
パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

 

■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。

 

■本セミナーに参加して修得できること
パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。
パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。
SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

 

担当講師

国立大学法人 筑波大学
数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学) 岩室 憲幸 氏

 

 

セミナープログラム(予定)

 

1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とは?

1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか?
1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?

 

2.最新シリコンIGBTの進展と課題

2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 パワーデバイス(IGBT)開発のポイント
2-3 最新IGBTを支える技術
2-4 薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の誕生
2-7 シリコンIGBTの実装技術

 

3.SiCパワーデバイスの現状と課題

3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 なぜSiCパワーデバイスなのか
3-3 SiCのSiに対する利点
3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか?
3-5 SiCウェハができるまで
3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき課題
3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
3-9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
3-12 ショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵SiC-MOSFET

 
4.GaNパワーデバイスの現状と課題

4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
4-5 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
4-6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?

 

5.SiCパワーデバイス高温対応実装技術

5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
5-4 SiCモジュールに必要な実装技術

 

6.まとめ

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2021年5月24日(月) 10:30-16:30

 

開催場所

【Live受講】 Live配信セミナー(リアルタイム配信) ※会社・自宅にいながら学習可能です※

 

オンライン配信のご案内

★ Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

 

受講料

【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)

*1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

 

*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引

 

 

配布資料

  • 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
    (開催1週前~前日までには送付致します)。
  • 準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
    (土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

 

備考

  • 当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
    (全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
  • 本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

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