パワーデバイスの基礎ならびにSiC/GaNデバイス・実装の最新技術動向【提携セミナー】
おすすめのセミナー情報
| 開催日時 | 2024/3/26（火） 10:30-16:30 |
|---|---|
| 担当講師 | 岩室 憲幸 氏 |
| 開催場所 | Zoomによるオンラインセミナー |
| 定員 | - |
| 受講費 | 【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：47,300円(税込） 【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：52,800円(税込） |
SiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について
パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含めわかりやすく丁寧に解説します！
また、酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状についてもご紹介します。
パワーデバイスの基礎ならびに
SiC/GaNデバイス・実装の最新技術動向
【提携セミナー】
主催：株式会社情報機構
2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
■受講対象
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、
パワーデバイス販売ご担当者
■必要な予備知識
教養程度の工学の知識があれば十分です。
■本セミナーに参加して修得できること
パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。
SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など
担当講師
国立大学法人 筑波大学
数理物質系 物理工学域 教授 博士（工学） 岩室 憲幸 氏
セミナープログラム（予定）
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？
1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？
1-5 MOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？
２．最新シリコンMOSFET, IGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 パワーデバイス開発のポイント
2-3 最新MOSFET, IGBTを支える技術
2-4 IGBT 薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の三手
2-6 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生
2-7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップなのか
3-3 SiCのSiに対する利点
3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？
3-5 SiCウェハができるまで
3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき４つの課題
3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
3-9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-12 最新SiC MOSFET技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
4-9 縦型GaNデバイスの最新動向
4-10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに？
５. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムとその特徴
5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
６．SiCパワーデバイス高温対応実装技術
6-1 高温動作ができると何がいいのか
6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
6-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
6-4 SiCモジュールに必要な実装技術
７．まとめ
公開セミナーの次回開催予定
開催日
2024年3月26日（火） 10:30-16:30
開催場所
Zoomによるオンラインセミナー
受講料
【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円
＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。
●録音・録画行為は固くお断り致します。
配布資料
※配布資料等について
●配布資料はPDF等のデータで配布致します。ダウンロード方法等はメールでご案内致します。
- 配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡致します。
- 準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。） - セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。
備考
●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
（全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
★【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】、【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】のいずれかから、ご希望される受講形態をメッセージ欄に明記してください。
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