パワーデバイスの基礎ならびにSiCデバイス・実装の最新技術動向【提携セミナー】

　　セミナー　　半導体/電子　　電子部品/デバイス　　パワーデバイスの基礎ならびにSiCデバイス・実装の最新技術動向【提携セミナー】

開催日時	未定
担当講師	岩室憲幸氏
開催場所	未定
定員	-
受講費	未定

SiC パワーデバイスの特長と課題、SiCデバイス実装技術を一日速習！

パワーデバイスの基礎ならびに

SiCデバイス・実装の最新技術動向

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

22024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展しており、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、SiCをはじめとした新材料デバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、シリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンIGBTからSiC開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。また、またGaNや酸化ガリウムデバイスの現状についても紹介する。

■受講対象

パワーデバイス、パワーエレクトロニクスに興味のある方

■必要な予備知識

教養程度の工学の知識があれば十分です。

■本セミナーに参加して修得できること

パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向
パワーデバイス市場。シリコンパワーデバイスの強み
SiC パワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス実装技術
SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、GaN/酸化ガリウムパワーデバイスの動向、など

担当講師

国立大学法人　筑波大学数理物質系　物理工学域　教授博士（工学）　岩室憲幸氏

セミナープログラム（予定）

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？
　　　1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　　　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
　　　1-3 パワーデバイスの適用分野
　　　1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？
　　　1-5 MOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　　　1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？

２．最新シリコンMOSFET, IGBTの進展と課題
　　　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
　　　2-2 パワーデバイス開発のポイント
　　　2-3 最新MOSFET, IGBTを支える技術
　　　2-4 IGBT 薄ウェハ化の限界
　　　2-5 IGBT特性改善の次の三手
　　　2-6 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生
　　　2-7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　　　3-1 半導体デバイス材料の変遷
　　　3-2 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップなのか
　　　3-3 SiCのSiに対する利点
　　　3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？
　　　3-5 SiCウェハができるまで
　　　3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
　　　3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき４つの課題
　　　3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス
　　　3-9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
　　　3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
　　　3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　　　3-12 最新SiC MOSFET技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　　　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　　　4-2 GaNデバイスの構造
　　　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　　　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　　　4-5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　　　4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　　　4-7 GaN-HEMTの課題