GaNパワーデバイス技術の基礎と応用展望【提携セミナー】

　　セミナー　　半導体/電子　　電子部品/デバイス　　GaNパワーデバイス技術の基礎と応用展望【提携セミナー】

開催日時	2025/11/10 (月)　13:00-15:30　＊途中、小休憩を挟みます。
担当講師	岩室憲幸氏
開催場所	Zoomによるオンラインセミナー
定員	-
受講費	【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名36,300円(税込（消費税10％）、資料付) 【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)

GaNパワーデバイス技術の基礎と応用展望

《データセンターの省電力化を実現する次世代半導体》

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

AI・クラウドで急増する電力需要に挑むGaNパワー半導体。
本セミナーでは基礎から応用展望まで解説し、データセンター省電力化の可能性を示します。

■はじめに

2025年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターの電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN（窒化ガリウム）パワー半導体デバイスの普及が期待されている。しかしながらGaNパワー半導体デバイスが得意とする電力容量・周波数領域ではシリコンMOSFETがまだまだ主役として君臨している。本セミナーでは、最強のライバルであるシリコンMOSFETからGaNパワー半導体デバイスの開発技術の現状と今後の動向について、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

■受講対象

パワー半導体デバイス、パワーエレクトロニクスに興味のある方。特に新材料パワー半導体デバイスに興味のある方

■必要な予備知識

教養程度の工学の知識があれば十分です。

■本セミナーに参加して修得できること

パワー半導体デバイスの最新技術動向とその市場動向
シリコンパワーデバイスの強みとGaN パワーデバイスの特長と課題
GaNパワー半導体デバイス最新技術動向

担当講師

国立大学法人　筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士（工学）岩室憲幸氏

セミナープログラム（予定）

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何？
1-1　パワエレ＆パワー半導体デバイスの仕事
1-2　パワー半導体デバイスの種類と基本構造
1-3　パワー半導体デバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1-4　ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とは何？
1-5　パワーデバイス開発のポイント
1-6　データセンター向けにはなぜGaNデバイスなのか？

２．新シリコンMOSFETの進展と課題
2-1　パワー半導体デバイス市場の現在と将来
2-2　パワー半導体デバイス開発のポイント
2-3　最新シリコンMOSFETを支える技術

３．GaNパワーデバイスの現状と課題
3-1　半導体デバイス材料の変遷
3-2　ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3　SiCとGaNデバイスの狙う市場（データセンター・EV・再エネ分野）
3-4　GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
3-5　GaN-HEMTのノーマリーオフ化
3-6　GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
3-7　縦型GaNデバイスの最新動向

４．まとめ
4-1　GaNパワーデバイスの技術的意義
4-2　今後の研究開発動向と市場展望（データセンター省電力化への貢献を含む）