☆第１部では、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から

最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説します！

☆第２部では、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、

各露光装置について、レジスト材料の原理まで解説します！

リソグラフィ技術の発展と

レジスト材料の原理および半導体高密度化への展開

《EUV露光装置、DUV・EUV光源開発の最前線》

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

【第１部】

最先端リソグラフィはDUV（KrF,ArF, ArF液浸）領域からEUV領域へ長足の進歩を遂げつつある。この動きと軌を一にして半導体製造技術（中間層、高密度実装）も最先端で大きく繁忙しつつある。本講演ではEUVリソグラフィ用光源開発の最新動向と最近の九州大学でのEUV関連研究の動向について報告する。高密度実装に向けてギガフォトン者が取り組んでいるハイブリッドエキシマレーザーの国プロでの試験でCMC材（SiC複合材）の優れた加工性能を実証した。この成果は、このレーザーの高密度実装技術への大きな可能性を示している。

講演ではEUV光源開発の最前線と、弊社で提案している最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について報告する。

【第２部】

半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、多層膜ミラー、反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。更に、原版となるマスク上に半導体パターンを描画するために用いられる電子ビーム露光装置について説明する。最後に、露光装置によって形成される光強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。

◆習得できる知識

• 半導体リソグラフィの基礎知識および最新のトレンド情報が習得できる。
• 半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ、半導体露光装置の歴史を理解できる。
• 半導体露光装置の構成と性能、特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論を理解することができる。
• EUV露光装置の特徴を理解することができる。
• 電子ビーム露光装置の特徴を理解することができる。
• レジスト材料の原理を理解することができる。

◆受講対象

【第１部】半導体製造装置にたずさわって2~3年の若手技術者や新人の方。
【第２部】半導体製造プロセスのうち、リソグラフィ関連全般を原理的な視点から理解したい方（新人、若手技術者、マネジメント）。

◆必要な前提知識

特に予備知識は必要ありません。基礎から説明いたしますが、四則演算、三角関数、微積分、平均値と標準偏差、等の基礎知識は必要です。

◆キーワード

リソグラフィ,レジスト,露光装置,DUV,EUV光源,半導体,微細,講演,セミナー,研修

担当講師

【第１部】
NHリサーチ／
九州大学　プラズマ・ナノ界面工学研究センター　アドバイザー・客員教授　工学博士
溝口　計　氏

【専門】
プラズマ工学、レーザー工学、リソグラフィ装置工学

【略歴】
現在、九州大学客員教授: 元ギガフォトン社CTO。SPIEフェロー。工学博士。
日本レーザー学会会員。日本応用物理学会会員。
1982年九州大学総合理工学研究科、村岡研究室修了。
1994年工学博士（1994年九州大学工学部）。
1990年以来、リソグラフィ用KrF、ArF、F2レーザ、ＬＰＰ－EUV光源、ハイブリッド・エキシマレーザの研究開発に従事。
2023年３月ギガフォトン社退職。九州大学客員教授として現在に至る。
2002年、2016年、レーザー学会論文賞（DUVレーザー、EUV光源）受賞。
2009年および2019年日本レーザー学会産業賞（装置部門）受賞（ギガフォトン社：GT62AおよびGT６XAシリーズ）。
2018年光振興協会桜井賞受賞。

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【第２部】
東京工業大学　物質・情報卓越教育院　産学協創教育コーディネーター　博士（工学）／
九州大学　プラズマナノ界面工学センター　アドバイザー
鈴木　一明　氏

【専門】
精密工学、微細加工技術、非破壊検査技術

【略歴】
●学生時代（1984年3月まで）：東京大学にて、プラズマ物理（学部）、X線天文学（大学院）
を専攻
●民間企業時代（1984年4月～2019年2月）：（株）ニコン
KrFステッパ、KrFスキャン、電子線、EUV等の新コンセプトの半導体投影露光装置や、
産業用X線CT装置の開発をリーディング。
2011年～2014年 Nikon Metrology のChief Strategy Officerとして英国赴任。
●アカデミア時代（2019年3月～現在）：東京工業大学 物質・情報卓越教育院
2023年１月～ 九州大学 プラズマナノ界面工学センター アドバイザーを兼任
2021年～　成城大学 社会イノベーション学部 非常勤講師
“Microlithography -Science and Technology -” (CRC Press)（第２版2007、第３版2020）の編
者。

セミナープログラム（予定）

【第１部】「リソグラフィ用DUV光源・EUV光源の発展と半導体高密度化への展開」
Progress of DUV and EUV light source for Lithography, and its new Application for High density Packaging of Semiconductor
NHリサーチ／
九州大学　プラズマ・ナノ界面工学研究センター　アドバイザー・客員教授　工学博士
溝口　計氏
＜プログラム＞
1. Introduction
1-1.New Trend of Semiconductor Manufacturing Technology
1-2.Topics: Business Trend of DUV Lithography

2. FRONT END: EUV Source development for Lithography
2-1. Market trend of EUV Lithography
2-2. 300W EUV Source (Pilot#1) for EUV Lithography
2-3. EUV Mask inspection and Light Source
2-4. New EUV Activity of Kyushu-Univ.

3. MIDDLE END: DUV Direct Laser Processing
3-1. Packaging and DUV laser processing （COMPAUND OF CERAMIC & PLASTIC）
3-2. Hybrid Excimer Laser and Advanced material processing

4. Summary, Acknowledgement

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【第２部】「リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理」
東京工業大学　物質・情報卓越教育院　産学協創教育コーディネーター　博士（工学）／
九州大学　プラズマナノ界面工学センター　アドバイザー
鈴木 一明　氏
＜プログラム＞
１．半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ

２．半導体露光装置の露光方式の進化

３．ウエハパターニング用半導体露光装置の性能と要素機能
（部分的コヒーレンス理論、解像度、解像度向上策、重ね合わせ精度、スループットを含む）

４．EUV露光装置
（多層膜ミラー、反射光学系、真空ステージ、Cost of Ownershipを含む）

５．電子ビーム露光装置

６．レジスト材料の原理

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【LIVE配信】2024/7/18（木）12:30～16:40
【アーカイブ配信】7/19～7/31

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 49,500円 （本体価格：45,000円）
会員： 46,200円 （本体価格：42,000円）

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
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