★最新のロードマップからリソグラフィ技術の最新動向、方向性を解説

そこからレジスト材料に求められる特性や実際に発生する問題点を洗い出す！

リソグラフィ技術の開発動向とレジスト材料への

要求特性、トラブル対策

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。リソグラフィは現在先端の量産で用いられているダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVが用いられはじめている。レジストはこのようなリソグラフィの変革に対応して進展し続けている。

本講演では、最新のロードマップを紹介し、EUVを中心としたリソグラフィの最先端技術、開発動向、レジスト材料への要求特性について解説する。量産工程で実際に起こるレジスト材料のトラブルについて、その対策の詳細を述べる。さらにリソグラフィの技術展望、レジストの市場動向についてまとめる。

習得できる知識

• リソグラフィの最先端技術
• レジスト材料の最先端技術と要求特性
• レジスト材料のトラブル対策
• リソグラフィの課題と対策
• リソグラフィ、レジストの開発動向
• レジストのビジネス動向

担当講師

大阪大学　産業科学研究所　招聘教授　遠藤 政孝 氏

セミナープログラム（予定）

１．ロードマップ
1.1 リソグラフィ、レジストへの要求特性
1.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢

２．リソグラフィの最先端技術、開発動向とレジスト材料への要求特性
2.1 EUVリソグラフィ
2.1.1 EUVリソグラフィの現状と課題・対策
2.1.2 EUVリソグラフィの開発動向
2.1.3 EUVレジストの要求特性と設計指針
2.1.4 EUVレジストの開発動向
2.1.5 EUVメタルレジストの特徴・性能と開発動向
2.2 ダブル/マルチパターニング
2.2.1 リソ－エッチ（LE）プロセス
2.2.2 セルフアラインド（SA）プロセス
2.3 自己組織化（DSA）リソグラフィ
2.3.1 グラフォエピタキシー
2.3.2 ケミカルエピタキシー
2.4 ナノインプリントリソグラフィ

３．レジスト材料のトラブル対策
3.1 レジストパターン形成不良への対応
3.1.1 パターン倒れ
3.1.2 パターン密着性不良
3.1.3 パターン形状不良
3.1.4 チップ内のパターン均一性不良
3.2 化学増幅型レジストのトラブル対策
3.2.1 レジスト材料の安定性
3.2.2 パターン形成時の基板からの影響
3.2.3 パターン形成時の大気からの影響
3.3 ArF液浸リソグラフィ用レジストのトラブル対策

４．リソグラフィの技術展望

５．レジストの市場動向

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023/6/9（金）10:30~16:30

開催場所

Zoomによるオンライン受講

受講料

1名につき55,000円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込)〕

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