★次世代高密度実装のカギを握るキーテクノロジーを一挙解説！

先端半導体パッケージにおける

チップレット化とハイブリッド接合技術

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

• 2.5D/3D異種機能集積化プロセスの開発動向と実装、材料技術
• 三次元実装におけるウエハレベルハイブリッド接合技術
• チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合用 新規接合材料の開発

習得できる知識

【第1部】

• 半導体実装における高密度実装の必要性とそれを実現するための技術の将来予測
• 三次元ICのための高密度実装を必要とするアプリケーション
• 高密度実装技術を実現するパッケージ形態とそれぞれの得失
• 高密度実装のカギとなるハイブリッド接合技術およびそのプロセス課題
• 高密度実装に要求される材料技術

【第2部】

• 半導体実装における接合技術について
• ウエハレベル3次元実装技術について
• ウエハレベル貼り合わせ技術について

【第3部】

• チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合の基礎から最近の技術開発動向までを学ぶことが出来ます
• 無機接合材料と有機接合材料の特徴と課題について学ぶことが出来ます
• 弊社開発の新規接合材料の特性について学ぶことが出来ます

担当講師

【第1部】

東京大学　システムデザイン研究センター(d.lab)　特任研究員　川野 連也 氏

【第2部】

(国研)産業技術総合研究所　デバイス技術研究部門　主任研究員　藤野 真久 氏

【第3部】

三井化学(株)　ICTソリューション研究センター　新事業グループ　主任研究員　茅場 靖剛 氏

セミナープログラム（予定）

＜１０：１５～１２：１５＞

１．2.5D/3D異種機能集積化プロセスの開発動向と実装、材料技術

東京大学　川野 連也 氏

【講座概要】

半導体回路の微細化は数十年に渡り半導体デバイスの高集積化、低消費電力化、低コスト化を同時にもたらしてきたが、物理的寸法のさらなる微細化は限界に達しつつある。一方で、実装の接続ピッチとチップ配線ピッチには1000倍ほどの開きがあり、実装における微細化の余地はまだまだ大きい。このギャップを埋める技術として、ウェハプロセスを用いた再配線、Siインターポーザー、Si貫通電極（TSV）などが新しい実装技術として提案され実用化されてきた。本講座ではこのような高密度実装技術を俯瞰し、さらなる高密度異種機能集積を実現するために必要とされる実装技術および材料技術について解説する。

１．はじめに　－高密度実装の必要性－

1.1 パッケージ配線スケーリングと配線ギャップ

1.2 先端パッケージの変遷

２．高密度実装技術のアプリケーション

2.1 高密度実装を要求するロジックアプリケーションとその要求仕様

2.2 高密度実装を要求するメモリアプリケーションとその要求仕様

2.3 高密度実装を要求するイメージセンサアプリケーションとその要求仕様

３．2.5D/3D異種機能集積（チップレット）を実現するパッケージ形態とベンチマーク

3.1 Siインターポーザーを用いた2.5D/3D集積技術

3.2 Siブリッジを用いた2.5D/3D集積技術

3.3 高密度配線基板を用いた2.xD/3D集積技術

3.4 光電融合を実現する2.5D/3D集積技術

４．高密度実装のカギとなるハイブリッド接合技術およびそのプロセス課題

4.1 ハイブリッド接合のプロセス課題

4.2 ハイブリッド接合に必要な検査工程

4.3 高歩留まりハイブリッド接合を実現するためのプロセス技術

５．高密度実装に要求される材料技術

5.1 放熱効率を支配する熱界面材料（TIM）

5.2 狭ピッチバンプ接続のカギとなるアンダーフィル材料

5.3 低温ハイブリッド接合を実現する銅めっき技術

【質疑応答】

＜１３：１５～１４：４５＞

２．三次元実装におけるウエハレベルハイブリッド接合技術

(国研)産業技術総合研究所　藤野 真久 氏

【講座概要】

エレクトロニクスデバイスの発展は接合技術の進化の一面があると考えております。本講演では現在のウエハレベル3次元実装技術の一部であるウエハレベル貼り合わせ技術をご紹介いたします。現在の接合技術も今後さらに発展することによってより高機能・高集積のデバイスが生み出されると期待されます。特に、オプトエレクトロニクスや量子コンピュータといった全く新しいデバイスも出現しており、これらに適用可能な実装・接合技術の研究開発が発展していくと期待しております。

１．エレクトロニクスにおける接合技術について

1.1 イントロダクション

1.2 表面活性化接合

1.3 フュージョン接合

1.4 その他の接合方法

２．エレクトロニクスデバイスにおける実装技術と接合

2.1 ウエハレベル3次元実装技術

2.2 ウエハレベル貼り合わせ技術

2.3 ウエハレベル3次元実装におけるプロセス工程

2.4 アプリケーションと課題

３．まとめ

【質疑応答】

＜１５：００～１６：１０＞

３．チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合用 新規接合材料の開発

三井化学(株)　茅場 靖剛 氏

【講座概要】

人工知能やデジタルトランスフォーメーションなどの急激な普及に伴い、大量のデータを高速で処理する必要があり、半導体デバイス(IC)の性能向上の要求がこれまで以上に高まっている。ICの高性能化手法として、従来のトランジスタ微細化による手法と並び、ICチップの3次元積層手法が重要な技術となりつつある。3次元ICチップ積層では、はんだ接合が用いられてきたが、チップ間の広帯域データ通信のため、20μm以下の狭ピッチ電極でチップ同士を電気的に接続出来るCu-Cuハイブリッド接合技術の実現が望まれている。本講座では、チップオンウェハでCu-Cuハイブリッド接合を実現する際の課題と最近の技術開発状況、および弊社の開発した新規接合材料について講演を行う。

１．チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合概論

1.1 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合が必要とされる技術背景

1.2 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合プロセスと課題

1.3 各種ダイシング方法(ブレード、ステルス、プラズマ)

1.4 チップ接合方法(ダイレクトプレイスメント、コレクティブ、ギャップフィル)

1.5 最近のデバイス開発例(ロジック、メモリー)

1.6 まとめ

２．弊社開発新規接合材料のご紹介

2.1 無機接合材料と有機接合材料の特徴と課題

2.2 弊社開発接合材料のコンセプト

2.3 コンセプトの検証

2.4 材料の信頼性

2.5 まとめ

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023/3/8（水）10:15~16:10

開催場所

Zoomによるオンライン受講

受講料

1名につき60,500円(消費税込･資料付き)

〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕

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備考

資料は事前に紙で郵送いたします。

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