ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向がわかります！

また、縦方向および横方向のALE技術についても解説します。

半導体製造プロセスにおけるドライエッチング

《ドライエッチングの基礎及びプロセス技術、最新の技術動向》

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術の進展の歴史、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への実装について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みとALE(Atomic Layer etching)技術の応用について解説する。

◆受講後、習得できること

• プラズマエッチングの形状制御メカニズム
• ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向
• 縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術

◆受講対象者

半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカー、装置メーカー、半導体材料メーカーの方など。

◆必要な予備知識など

• 半導体製造プロセスに関する一般的な知識

担当講師

（株）日立ハイテク
ナノテクノロジーソリューション事業統括本部　主管技師長 工学博士　伊澤 勝 氏

＊ 希望者は講師との名刺交換が可能です

セミナープログラム（予定）

1．イントロダクション

1-1 半導体デバイスのトレンド
1-2 半導体プロセスフローとドライエッチング技術

2．ドライエッチング装置の概要

2-1 プラズマ源とドライエッチング装置
2-2 ドライエッチング装置の変遷

3．ドライエッチングの反応メカニズム

3-1 イオンアシスト反応　エッチング速度のモデル式
3-2 反応生成物の影響
3-3 加工寸法制御のメカニズム
3-4 各種材料における寸法制御技術
3-5 Fab wide APCへの展開
a) 構造起因のゲート寸法ばらつき
b) 制御モデル構築と計測
c) 構造を考慮した寸法変動のモデル化

4．LER、Wiggling抑制技術

4-1 マスク再構成技術
4-2 応力制御によるWiggling抑制
4-3 絶縁膜HARC etching

5．最先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術

5-1 DTCO採用に伴うエッチングの課題
5-2 異方性ALE(Atomic Layer etching技術)
5-3 Si/SiGe fin etching
5-4 WFM patterning
5-5 GAA、CFETにおけるエッチングの課題

6．横方向のドライエッチング

6-1 ポストスケーリング世代の半導体技術動向
6-2 等方性ドライエッチング技術の概要
6-3 熱サイクルALE技術と装置
6-4 プラズマを用いたALE
6-5 有機錯体反応を用いたALE

7．環境およびデジタル化に向けた取り組み（概略）

8．まとめ

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2025年1月31日（金）　10:30-16:30　※途中、お昼休みと小休憩を挟みます。

開催場所

【会場受講】[東京・大井町]きゅりあん4階第1特別講習室

受講料

1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
※会場での昼食の提供サービスは中止しております。

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

備考

●録音・撮影行為は固くお断り致します。
●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
　　場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
　　＊ＰＣ実習講座を除きます。

お申し込み方法

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