＜半導体製造において必須：プラズマプロセッシング＞

プラズマ生成の基礎・現象の理解と

半導体微細加工・エッチングプロセスの基礎

■半導体微細加工において重要なパラメータ：壁へのイオンや化学活性種のフラックス量とは？■

■半導体プロセスに用いられるプラズマ源、反応性イオンエッチングの表面現象を理解する！■

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

★ さまざまな表面化学反応を低温で実現できるプラズマプロセス！
★ プラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象とは？
★ 壁へのイオンや化学活性種のフラックス量がどのような過程で決定づけられているか？
★ 近年の動向である二周波重畳プラズマの必要性と課題についても解説！

セミナー趣旨

さまざまな表面化学反応を低温で実現できるプラズマプロセスは半導体製造において必須のプロセスです。

本講座はプラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象（電離、解離、拡散、消滅）を解説するとともに、半導体微細加工において重要なパラメータとなる壁へのイオンや化学活性種のフラックス量がどのような過程で決定づけられているかを説明します。

また、半導体プロセスで用いられるさまざまなプラズマ源の特徴、反応性イオンエッチングにおいて表面で起こっている現象を説明するとともに、近年の動向である二周波重畳プラズマの必要性と課題についても触れていきます。

＜得られる知識・技術＞

• プラズマの基礎、エッチングプロセス実現のためのプラズマ制御の基本指針

担当講師

名古屋大学工学研究科 電子工学専攻 教授

豊田 浩孝　氏

名古屋大学低温プラズマ科学研究センター 教授（兼務）
自然科学研究機構 核融合科学研究所 特任教授

セミナープログラム（予定）

＜プログラム＞
１プラズマとは
1.1 半導体プロセスにおけるプラズマの必要性
1.2 化学活性種の低温生成
1.3 イオンの活用

２　プラズマ中での荷電粒子のふるまい
2.1 電子のエネルギー分布
2.2 電界の遮蔽
2.3 プラズマの振動とプラズマ周波数

３　プラズマ中における粒子間衝突（荷電粒子や化学活性種の生成）
3.1 衝突の種類
3.2 衝突断面積
3.3 平均値としての衝突頻度
3.4 原子・分子のもつ内部エネルギー

４　プラズマと壁（荷電粒子や化学活性種の消失）
4.1 荷電粒子の損失
・シースの形成とボーム速度
・壁への損失フラックス
4.2 化学活性種の損失
・壁へのランダムフラックス
・表面損失の確率

５　プラズマの生成と損失のバランス
5.1 荷電粒子の生成と消滅のバランス
5.2 化学活性種の生成と消滅のバランス
5.3 エネルギーのバランス

６　プラズマの作り方
6.1 容量結合型プラズマ
6.2 誘導結合型プラズマ
6.3 マイクロ波プラズマ

７　反応性イオンエッチング
7.1 反応性イオンエッチング（RIE）とは
7.2 RIE表面において起こっている現象
7.3 選択性の発現
7.4 イオンの入射角度分布と高エネルギーイオン入射の必要性

８　容量結合型プラズマによるエッチングプロセス
8.1 容量結合型プラズマの長所と短所
8.2 プロセススループット向上のためのプラズマの高密度化
8.3 容量結合型プラズマにおける自己バイアス発生とイオンのエネルギー分布形成
8.4 なぜ二周波重畳プラズマなのか
8.5 粒子の滞在時間と真空装置の高排気速度化の重要性
8.6 電源高周波化にともなう課題

　　□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023年7月28日（金）  10:30～16:30

開催場所

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受講料

一般受講：本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

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2名で55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須​／1名あたり定価半額27,500円)

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定価：本体36,500円＋税3,650円
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