三次元集積化が拓く次世代半導体パッケージ技術と開発動向【提携セミナー】

ダイヤモンド=究極の半導体セミナー

三次元集積化が拓く次世代半導体パッケージ技術と開発動向【提携セミナー】

開催日時 2026/12/17(木) 13:00~17:00
担当講師

江澤 弘和 氏

開催場所 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
定員 30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
受講費 非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 46,200円 (本体価格:42,000円)

 

三次元集積化が拓く

次世代半導体パッケージ技術と開発動向

 

《  Chiplet, 3D Fan-Out, Si/Organic interposer, Si bridge, Glass packaging, CPO 》

 

【提携セミナー】

主催:株式会社R&D支援センター

 


 

◆セミナー趣旨

HBM支配の続く先端AI/HPCデバイスのシステムレベル性能向上は先進パッケージの高品位化開発に支えられています。一方、UCIe標準規格に準拠する先端ノード、非先端ノードのSiデバイスのMix & Matchによる多様な産業用途向けのSoC製品を効率的に創出するために、Chiplet integrationのエコシステムの早期確立が期待されています。半導体パッケージの役割が急峻に変質する状況において、一部のバズワードの流布に煽られることなく地道な開発を継続するために、本セミナーでは三次元集積化へ進展した半導体パッケージ開発経緯の整理、TSV積層、Hybrid bonding積層、3D Fan-Out packagingを構成する基幹プロセスの基礎の再訪を中心に、PLP、Glass packaging、Co-Packaged Opticsへ深化を続ける先進パッケージの動向に言及します。

 

◆キーワード

半導体,半導体パッケージ,LSI,IoT,,WEBセミナー,オンライン

 

担当講師

神奈川工科大学 工学部
電気電子情報工学科 非常勤講師 博士 (工学) 江澤 弘和 氏

 

【略歴】
1985年 京都大学 修士 (金属磁性) 修了
1985年 株式会社 東芝に入社。半導体材料技術部におけるSiウエーハの高品位化業務
1987年からLSIプロセス開発部門において、スパッタ、メタルCVD、微細めっき等の金属成膜技術を中心に、先端デバイスの微細化プロセス開発に従事。並行して、Bump形成、Low – k CPI低減、再配線形成、TSV等の中間領域の技術開発を推進。
2011年 株式会社 東芝 メモリ事業部 プロセス技術開発主幹。TSV、FOWLP等の中間領域プロセスによるフラッシュメモリ製品開発に従事。
2015年 早稲田大学 大学院 情報生産システム研究科 先進材料研究室 博士後期課程修了、博士 (工学) 取得
2017年 メモリ事業分社化に伴い東芝メモリ株式会社(現・キオクシア株式会社) に移籍。プロセス技術開発主幹
2018年4月より 神奈川工科大学 非常勤講師 (電気電子材料担当)
2019年9月 東芝メモリ株式会社 定年退職

 

セミナープログラム(予定)

1.最近の先進半導体デバイスパッケージ
1-1 システムレベル性能向上への寄与
1-2 Co-Packaged Opticsの話題

 

2.後工程の高品位化と中間領域技術の進展

 

3.三次元集積化の基幹プロセスの基礎
3-1 TSV再訪 (HBM積層からBSPDNへ)
3-2 Wafer level Hybrid Bonding (CIS, NANDのデバイス性能向上)
3-3 CoW Hybrid Bonding (SRAM増強, 異種チップ積層)
3-4 Logic-on-memory積層SoCデバイス再訪
(再配線, マイクロバンプ, マスリフロー積層導入の原点)
3-5 Siインターポーザーの導入からSiブリッジ導入によるモールドインタポーザーへ
(EMIBの進展とCoWoS-Lの採用拡大)
3-6 再配線の微細化と多層化
(SAP延命とダマシンプロセスの導入)

 

4.Fan-Out(FO)型パッケージプロセスの基礎
4-1 FOパッケージの市場浸透(パワーデバイスのFO化)
4-2 プロセス選択肢の拡大
4-3 TMI によるFO三次元集積化(メモリパッケージのFO化)

 

5.Panel Levelプロセス(PLP)の高品位化とGlassパッケージ開発
5-1 システムレベルの規模拡大とレティクルフリー露光プロセス
5-2 PLPの開発経緯と未解決課題
5-3 Glassプロセスの開発動機と課題(TGV形成, Cu埋め込み, 信頼性, CPOとの親和性)

 

6.今後の開発動向
6-1 デバイスパッケージの熱放散性向上(材料と構造)
6-2 AIメモリパッケージの動向(LPW, HBM, HBF, HBS)

 

7.Q&A

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2026年12月17日(木) 13:00~17:00

 

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

 

受講料

非会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
会員:  46,200円 (本体価格:42,000円)

 

非会員の方は1名につき49,500円(税込み)です。
会員の方もしくは新規会員登録していただいた方の受講料は以下の通りです。
★1名で申込の場合、46,200円(税込)に割引になります。
★2名以上同時申込の場合、1名につき半額の24,750円(税込)に割引になります。
※参加者全員の会員登録が必要です。登録料や年会費などは一切かかりません。

 

※セミナー主催者の会員登録をご希望の方は、申込みフォームのメッセージ本文欄に「R&D支援センター会員登録希望」と記載してください。ご登録いただくと、今回のお申込みから会員受講料が適用されます。

 

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すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。

 

LIVE配信のご案内

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備考

  • 資料付【郵送いたします】

 

  • セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
    無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
    ※講義中に講師よりご質問をしますので、マイクが使える事をご確認ください。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

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