グラフェンの基礎と最新研究動向【提携セミナー】

グラフェンの基礎と最新研究動向

グラフェンの基礎と最新研究動向【提携セミナー】

開催日時 未定
担当講師

谷口 尚 氏

開催場所 未定
定員 -
受講費 未定
本セミナーでは、高純度hBN単結晶について
フラックス合成と2次元系基板材料をはじめとする最近の展開を解説します。

 

グラフェンの基礎と最新研究動向

 

2次元原子層デバイス用基板,絶縁膜としての高純度六方晶窒化ホウ素結晶の合成技術

~溶媒法による高圧合成から常圧合成

 

 

【提携セミナー】

主催:株式会社情報機構

 


 

 

 

2004年に2次元系原子層としての特異な物性が示されたグラフェンは、その初期段階から基板材料の欠陥や不純物、表面の原子オーダーの凸凹や極性結合・非結合状態などの影響により、本来の特性を評価することが難しかった。2009年、高圧合成された高純度hBN単結晶は、窒素とホウ素原子からなる黒鉛類似の2次元平面結晶構造を持ち、原子レベルで平滑、非結合手を持たず、かつ絶縁体なので、グラフェンの基板等に理想的であることが実証された。以降、h-BN単結晶を用いた2次元原子層材料(グラフェン、遷移金属ダイカルコゲナイド、黒燐など)の基板、デバイス中の絶縁層などへの展開が進んだ。hBNはワイドバンドギャップ半導体であり、高輝度の深紫外線発光特性(波長215nm)を呈し、小型水銀レス環境対応型の遠紫外線発光源プロトタイプも創製された。更に、高圧合成プロセスから量産化が可能な常圧合成プロセスへの展開もなされた。本講座では、高純度hBN単結晶について、フラックス合成と2次元系基板材料をはじめとする最近の展開を解説する。

 

◆受講対象者

hBN結晶による遠紫外線発光(波長220nm領域)素子、2次元原子層向け基板・絶縁膜の創製に興味のある方々。

 

◆必要な予備知識など

フラックス法による結晶成長

 

 

 

担当講師

国立研究開発法人 物質・材料研究機構 フェロー 工学博士 谷口 尚 先生

 

 

 

セミナープログラム(予定)

 

1. 高圧合成装置

1) ベルト型高圧装置による圧力、温度発生
2) 高圧下での物質・合成
a) ダイヤモンド
b)窒化ホウ素の圧力誘起相転移

 

2. 超高圧下での単結晶合成

1) ダイヤモンド結晶合成
a) 不純物の制御
b)高品位単結晶合成
2) 窒化ホウ素結晶合成
a) 立方晶窒化ホウ素(cBN)
a-1 単結晶合成
a-2 焼結体合成
a-3 ダイヤモンド単結晶上でのcBNの結晶成長
b)六方晶窒化ホウ素
b-1 単結晶合成
b-2 不純物の評価
c)ウルツ鉱型窒化ホウ素
d)非晶質窒化ホウ素

 

3. 高純度hBN単結晶

1) 遠紫外線発光
2) 2次元系原子層基板材料としての展開
3) 残留不純物の制御
4) 同位体濃縮

 

4. hBN結晶の金属溶媒による常圧合成

1) 高圧合成から常圧合成へ
2) 汎用的な合成ルートの開拓

 

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

 

開催場所

未定

 

受講料

未定

 

オンライン配信のご案内

★ Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

 

備考

※配布資料・講師への質問等について

●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
(開催1週前~前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

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