半導体光触媒を用いた人工光合成【提携セミナー】

半導体光触媒を用いた人工光合成セミナー

半導体光触媒を用いた人工光合成【提携セミナー】

開催日時 未定
担当講師

加藤 正史 氏

開催場所 未定
定員 -
受講費 未定

本セミナーでは半導体光電極、

特にシリコンカーバイド(SiC)光電極を用いた

人工光合成技術を解説します。

半導体光触媒を用いた人工光合成

 

≪シリコンカーバイド(SiC)の活用、CO2を発生させない水素生成≫

 

【提携セミナー】

主催:株式会社情報機構

 


 

本セミナーでは半導体光電極、特にシリコンカーバイド(SiC)光電極を用いた人工光合成技術を解説します。

光電極による人工光合成では太陽光のエネルギーと水だけでエネルギー資源である水素を製造できます。また、SiC光電極を用いると耐久性とエネルギー変換効率を両立することができます。しかしながら、SiCの結晶成長は容易ではなく、高効率な光電極を作るには高度な技術が必要となります。従って、SiCの物性・結晶成長技術から、光電極による人工光合成の将来展望まで、他技術との比較も含めて幅広く解説します。

 

◆受講後、習得できること

  • 光電極による人工光合成(水素生成)の原理
  • SiC光電極の特徴と高効率化手法
  • SiC結晶成長技術の概要

 

◆受講対象者

  • 半導体部材や新素材メーカーの技術者・研究者
  • 人工光合成、水素生成技術の研究者
  • 次代の研究テーマ、ビジネスの企画・調査を行う方

 

 

◆必要な予備知識など

半導体の知識があると理解が深まると思いますが、知識がない方でもわかるように、できるだけ平易に説明します。

 

 

 

担当講師

名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授 博士(工学)

加藤 正史 先生

 

セミナープログラム(予定)

1.水素エネルギー
1-1 太陽光からの水素生成:人工光合成
1-2 半導体光触媒・光電極

 

2.シリコンカーバイド(SiC)とは
2-1 SiCの結晶構造
2-2 SiCの結晶成長
2-3 パワー半導体としてのSiC
2-4 SiCの評価法
2-5 他材料との相違・類似
2-6 光電極としてのSiC

 

3.SiC光電極の基礎実験
3-1 電極構成
3-2 SiCによる水素生成可能性判定
3-3 触媒活性確認
3-4 ポリタイプ依存性

 

4.SiC光電極の特徴
4-1 3C-SiC結晶成長の困難さ
4-2 品質改善した3C-SiCとその陰極特性
4-3 水素発生の様子
4-4 助触媒効果
4-5 pn接合の効果
4-6 光閉じ込め効果
4-7 酸化物光電極・太陽電池との組み合わせ
4-8 長期耐久性

 

5.他手法との比較
5-1 他の半導体光電極
5-2 太陽電池-電解セル

 

6.将来展望
6-1 光電極による人工光合成の将来展望
6-2 SiC光電極の将来展望

 

7.まとめ

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

 

開催場所

未定

 

受講料

未定

 

オンライン配信のご案内

★ Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

 

備考

配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
(開催1週前~前日までには送付致します)。
準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

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