ＡＬＤ（原子層堆積法）による

高品質膜作製・コーティング技術

■表面反応機構の理解とモニタリング、適切な材料選択、プロセス調整の知識へ■

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【Live配信】のみ

★ LSI、MEMS、太陽電池、機械部品、コーティングなどにも活用検討がされているALD（原子層堆積法）
★ 最新研究成果として各種酸化物膜の室温形成技術についても解説します。

セミナー趣旨

原子層堆積法は、金属酸化物薄膜を複雑形状にもコンフォーマルで形成できることから、LSI製造に利用されています。近年では、LSIのみならず、MEMS、太陽電池、機械部品、PETボトルへのコーティングにも活用が検討されています。
原子層堆積での高品質膜の達成のため、表面反応を中心とした反応機構の理解と、モニタリング、そして適切な材料選択、プロセス調整の知識が欠かせません。山形大学ではこれまで原子層堆積法のその場観察と低温化研究を進めてまいりましたが、我々の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした機構理解の達成を目標とします。さらに最新研究成果として各種酸化物膜の室温形成技術について紹介いたします。

＜得られる知識・技術＞
吸着反応機構、表面酸化、モニタリング技術、プロセス調整

担当講師

山形大学 大学院理工学研究科 教授　廣瀬 文彦　氏

【主な経歴、専門、研究】
1992年3月　東北大学大学院工学研究科修了　博士（工学）
現在　山形大学大学院理工学研究科教授
専門　半導体薄膜製造、界面制御太陽電池
主な研究　プラズマプロセスを用いた室温原子層堆積法の研究
【WebSite】
https://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/

セミナープログラム（予定）

＜プログラム＞

１．原子層堆積の基礎
1.1 原子層堆積の開発の歴史
1.2 熱ＡＬＤ
1.4 プラズマALD

２．原子層堆積における表面反応
2.1 吸着反応
・物理吸着と化学吸着
・ラングミュア―型解離吸着
2.2 吸着のモニタリング手法
2.3 プリカーサーの選択
2.4 酸化反応
2.5 酸化種の選択
2.6 酸化物表面と水の反応
2.7 酸化物表面と水素脱離
2.8 フォーミングアニールと界面層の問題
2.9 不純物モニタリング

３．山形大学開発室温原子層堆積法の解説
3.1 SiO2の室温形成事例とアクリル樹脂コーティング
3.2 生体親和膜TiO2の室温形成事例とペットボトルコーティング
3.3 Al2O3の室温形成事例
3.4 HfO2の室温形成事例
3.5 Fe2O3の製膜事例
3.6 アルミナシリケート薄膜の室温製膜事例とイオン吸着フィルターへの応用
3.7 ナノ微粒子ALD

□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【Live配信】 2023/10/27（金）13:00～16:30

開催場所

【Live配信】 オンライン配信セミナー

受講料

一般受講：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

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