ALD（原子層堆積法）の基礎と

高品質膜化および最新動向

《反応機構、モニタリング、材料選択、プロセス設計、低温化、応用事例》

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

原子層堆積法は、ナノの酸化物薄膜を複雑形状にもコンフォーマルで形成できることから、LSI製造に利用されています。近年では、LSIのみならず、MEMS、太陽電池、機械部品、PETボトルへのコーティングにも活用が検討されています。原子層堆積での高品質膜の達成のため、表面反応を中心とした反応機構の理解と、モニタリング、そして適切な材料選択、プロセス調整の知識が欠かせません。

山形大学ではこれまで原子層堆積法のその場観察と低温化研究を進めてまいりましたが、我々の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした機構理解の達成を目標とします。さらに最新研究成果として3D-CoolALD（室温三次元成膜ALD）による各種酸化物膜の室温形成技術について解説いたします。

◆習得できる知識

吸着反応機構、表面酸化、モニタリング技術、プロセス調整

◆キーワード

ALD,原子層堆積,プラズマ,モニタリング,酸化物,室温,,成膜,SiO2,セミナー

担当講師

山形大学 大学院理工学研究科 教授　廣瀬 文彦　氏

【経歴】
1992年3月 東北大学大学院工学研究科修了 博士（工学）
現在 山形大学大学院理工学研究科教授

【専門】半導体薄膜製造、界面制御太陽電池
【主な研究】プラズマプロセスを用いた室温原子層堆積法の研究

セミナープログラム（予定）

１．原子層堆積法の基礎
1-1.原子層堆積法とは
1-2.原子層堆積の開発の歴史
1-3.熱ＡＬＤとプラズマＡＬＤ
1-4.事例紹介

２．原子層堆積における表面反応機構
2-1.原料分子の吸着反応～ラングミュア―型解離吸着～
2-2.飽和吸着のモニタリング手法
2-3.プリカーサーの選択
2-4.吸着表面の酸化反応
2-5.酸化種の選択
2-6.酸化物表面と水の反応
2-7.酸化物表面と水素脱離
2-8.フォーミングアニールと界面層の問題
2-9.不純物モニタリング法

３．山形大学開発室温三次元成膜ＡＬＤの解説
3-1.SiO2の室温形成事例とペットボトル・アクリル樹脂コーティング
3-2.生体親和膜TiO2の室温形成事例とペットボトルコーティング
3-3.Al2O3の室温形成事例
3-4.HfO2の室温形成事例
3-5.Fe2O3の室温製膜事例
3-6.アルミナシリケート薄膜の室温製膜事例とイオン吸着フィルターへの応用

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023年06月16日（金） 13:00～17:00

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 49,500円 （本体価格：45,000円）
会員： 44,000円 （本体価格：40,000円）

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から

• 1名で申込の場合、44,000円（税込）へ割引になります。
• 2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
• 3名以上での申込は1名につき24,750円

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