＜ダイヤモンド＝究極の半導体＞2インチ径ダイヤウェハと世界最高水準パワー半導体デバイス【提携セミナー】
| 開催日時 | 未定 |
|---|---|
| 担当講師 | 嘉数 誠 氏 |
| 開催場所 | 未定 |
| 定員 | - |
| 受講費 | 未定 |
新動作原理によるダイヤモンド半導体パワーデバイスの作製に成功。
佐賀大・嘉数誠先生によるダイヤモンド半導体セミナー！
＜ダイヤモンド＝究極の半導体＞
2インチ径ダイヤウェハと
世界最高水準パワー半導体デバイス
【提携セミナー】
主催：株式会社情報機構
近年、地球温暖化を解決する手段として、省エネルギー、大電力化が可能なダイ ヤモンド半導体に注目が集まっています。ダイヤモンドは、最もバンドギャップ が広いため、究極の半導体とよばれています。
本セミナーでは、ダイヤモンド半導体の物性から、2インチ径ダイヤモンド半導 体ウェハの結晶成長技術、世界最高水準のダイヤモンドパワー半導体デバイスま で、わかりやすく解説します。
◆◆受講対象者
電機メーカー、素材メーカー、化学メーカー、半導体製造装置メーカーの方、
半導体商社の方、国研、大学などの研究者の方、半導体やパワーエレクトロニクスに興味のある方
◆必要な予備知識など
本テーマにご興味のある方ならどなたでも歓迎します。
参加者のバックグランドに応じて、文系の方にもわかりやすく、解説いたします。
担当講師
佐賀大学 大学院 理工学研究科 教授 博士（工学） 嘉数 誠 先生
セミナープログラム（予定）
１．ダイヤモンド半導体の基礎知識
1）ダイヤモンドの構造的性質
2）ダイヤモンドの電子物性
２．ダイヤモンドの結晶成長の基礎知識
1）様々な結晶成長方法
2）CVD成長法
3）ヘテロエピタキシャル成長法
３．パワー半導体デバイスの基礎知識
1）パワー回路とパワー半導体デバイス
2）高周波パワー半導体デバイス
3）ダイヤモンドがパワー半導体に優れている理由
４．２インチ径ダイヤモンド半導体ウェハの結晶成長
1) 背景－従来の技術
2）ヘテロエピタキシャル結晶成長方法
3）ウェハ作製方法
4) X線回折結果
5) 電子顕微鏡観察結果
6) 結晶欠陥評価
7) 結晶成長機構
8) まとめ
５．最高水準の出力電力を示すダイヤモンドパワー半導体デバイス
1) 背景－従来の技術
2）作製方法
3）デバイス特性
a) DC特性
b) 高電圧特性
c) 考察
4) まとめ
６．まとめ
1) まとめ
2）今後の課題
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
備考
配布資料・講師への質問等について
●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
（開催1週前～前日までには送付致します）。
＊準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
（全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
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