タグ: 半導体

電気・電子

《半導体の後工程を学ぶ④》キーワードは”HI”｜SiPの技術はさらなる高度化・高密度化へ

前回まで一つのチップをパッケージに組み立てる工程について復習してきましたが、その中で説明したμバンプを用いたフリップチップ技術やFO（Fan-Out）技術が “SiP“につながってい …

電気・電子

《半導体の後工程を学ぶ③》半導体パッケージ技術の基本［リードフレーム／BGA／WLP(WLCSP) ］

今回は、一つのチップだけをパッケージに組み立てる、後工程のおさらいです。 現在生産されているIC、ディスクリートを合わせた半導体における、樹脂モールドによるパッケージ方法の割合は、最も多いのがリードフレーム …

電気・電子

《半導体の後工程を学ぶ②》SoCとSiPを比較して解説｜SiPのメリット・課題は？

１．SoCとSiPの比較（メリット・デメリット） 当連載の前回の記事では、同じ機能を持った半導体を、１チップで実現するか（SoC: System on Chip）、複数のチップ（Chiplet）を一つのパッ …

電気・電子

《半導体の後工程を学ぶ①》半導体開発は後工程,パッケージ技術が主役の時代へ

今、半導体の後工程が大きな注目を集めています。 これまでは、一つの半導体チップの中にできるだけ沢山のトランジスタを集積するという前工程の微細化を競ってきましたが、それも徐々に限界に達しました。現在の最先端の …

化学

半導体微細加工とフォトレジスト《技術概要/課題/技術動向など要点解説》

１．フォトレジストは日本勢が世界をリード 半導体の進歩が止まりません。 半導体の最小線幅はますます細くなり、最先端品ではついに3nmとなりました1)。 この半導体の進化の中で、残念ながら図1のように、世界に …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】MOSFETの蓄積層と界面準位

前回の当連載では、バンド図を用いてMOSダイオードとMOSFETの動作原理の概要を説明しました*1)。 この記事では、その補足として、SiO2/Si界面に形成される「蓄積層」と「界面準位」の概要を紹介します …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】MOSFETの動作原理とバンド図

当連載の記事「パワーMOSFETの動作原理の回では、MOSFETの動作原理を定性的に紹介しましたが、今回の記事ではエネルギーバンド図（以下、バンド図）を用いて説明します。 MOSFETは、ソースとドレインの …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】金属・半導体接合のエネルギーバンド図｜ショットキー接合とオーミック接触

Siなどの半導体と金属が接触すると、「整流作用」を示す場合と示さない場合があり、前者は「ショットキー接合」、後者は「オーミック接触（オームの法則：V=IRに従う）」と呼ばれています。この違いは、金属の種類と …

化学

シリコンとシリコーンの違いは？両者の特徴/製法/用途などを整理

１．シリコンとシリコーンの違い 「シリコン」（Silicon）と「シリコーン」（Silicone）は似た名称ですが、意味が異なる2つの用語です。 「シリコン」は、元素のひとつであるケイ素（Si）のことを指し …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】pn接合の整流作用とバンド図

pn接合ダイオードの整流作用*1）は、半導体デバイスの最も重要な機能の一つです。 この記事では「整流作用のメカニズム」をエネルギー・バンド図（以下、バンド図）を用いて紹介します。 *1） 「ダイオードの整流 …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】ダイオードの整流作用と電気特性

家庭用電化製品、電気自動車、電車などの機器には、AC/DCコンバータ、DC/DCコンバータ、DC/ACインバータ（AC：交流、DC：直流）などの電気回路が組み込まれており、これらの回路は「ダイオード」や「パ …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】ワイドバンドギャップ半導体の特徴/メリット/課題

「パワー半導体」と呼ばれる半導体デバイスは、高電圧・高電流を扱う様々な機器に不可欠な「電力変換デバイス」であり、その多くはシリコン（Si）基板を用いて製造されています。 長年の研究開発によって「高耐圧・低損 …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】IGBTの主なデバイス構造を解説｜PT型/NPT型/FS型

パワーMOSFETの電流駆動能力を向上するために考案された「IGBT」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路*1）などには不 …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】IGBTの動作原理｜オン・オフ状態を図解で整理

パワーMOSFETの電流駆動能力を向上するために考案された「IGBT」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路*1)などには不 …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】パワーMOSFETの構造を解説 (IGBT/トレンチ型/スーパージャンクション型)

パワーMOSFETは、その基本構造に内在する「寄生抵抗」*1)などの影響により、「耐圧」と「電流駆動能力」はトレード・オフの関係にあります。 この記事では、必要な高耐圧を確保しつつ寄生抵抗を低減するために考 …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】パワーMOSFETの空乏層の性質

数10V～数100Vという高電圧に耐えるパワーMOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）では、その構成要素であるpn接合に形成される「 …

パワー半導体の基礎

【パワー半導体の基礎】パワーMOSFETの動作原理｜オフ状態とオン状態、寄生抵抗などを解説

「パワーMOSFET」（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）と呼ばれているパワー半導体デバイスは、高電圧・高電流を扱う電気回路のスイッチとして …

パワー半導体の基礎

パワー半導体がEVに不可欠な理由は？車載用パワーデバイスが基礎から分かる

地球環境に優しい自動車として、電気自動車EV（Electric Vehicle）が注目されています。 EVは「電気を動力源とする乗り物」という意味なので、EVという言葉にはバイク、電車、航空機も含まれますが …

電気・電子

《次世代の半導体製造法？》ナノインプリント技術とは

「産業のコメ」と呼ばれる半導体。 かつて日本は世界の半導体市場を支配していましたが、今その力を失っています。 日本はこの状況を打開できるのでしょうか？打開に有効な技術が準備できているのでしょうか？ １．日本 …

技術のキホン

３分でわかる技術の超キホン　プリント基板加工機の仕組みと方式

電子機器の小型化が進む中、組み込まれるプリント基板にも微細化・複雑化が求められています。 そのため、加工に用いるプリント基板加工機に対しても、より高い精度・品質が要求され、その種類も多様化しています。 本記 …

半導体製造プロセス入門

【半導体製造プロセス入門】半導体製造装置業界の現状は？《モアムーア／モアザンムーア》

本連載も最終回となりました。 今までの「半導体製造装置の技術的な解説」とはアプローチを変えて、「半導体製造装置業界」について解説します。 １．半導体製造装置の市場規模 半導体製造装置の市場は、全世界で約12 …