シリコン量子ドットの合成法と構造・特性およびシリコン量子ドットLEDの製造と特性【提携セミナー】

シリコン量子ドットの合成法と構造・特性およびシリコン量子ドットLEDの製造と特性【提携セミナー】

開催日時 未定
担当講師

齋藤 健一 氏

開催場所 未定
定員 -
受講費 未定

シリコン量子ドットの合成法と構造・特性および

シリコン量子ドットLEDの製造と特性

 

量子ドット・LEDの基礎、バルク/ナノシリコンの構造・光物性、

シリコン量子ドットを用いたLEDの製造・構造・特性など

 

【提携セミナー】

主催:サイエンス&テクノロジー株式会社

 


重金属フリーな量子ドット「シリコン量子ドット」。
その合成法と構造・特性・機能・耐久性、それを用いた量子ドットLEDの製造法と構造・特性、量子ドットフィルムやセンサ等のその他デバイス応用などについて、量子ドット・LEDの基礎から最新の研究までを含めて解説します。

 

セミナー趣旨

量子ドットを用いた大型TVやタブレットは、世界中で販売され始めています。一方、流通品は主にインジウム系量子ドットで、また研究で主力の量子ドットはカドミウムや鉛を含みます。従って、汎用的な材料で、毒性がなく、重金属フリーのサステナブルな発光体が世界中で模索されています。

 

シリコンは重金属ではなく、原料は砂・石です。シリコンは太陽電池,スマートフォン,車の電子部品をはじめ,現代社会の根幹を支える半導体です。一方、シリコンは発光体としての性質はあまり優れてなく、実用化には至っておりません。その理由は、シリコンの発光は近赤外線領域で,また発光効率は0.01%程と低く、発光材料には向いておりませんでした。しかし,ナノサイズ(量子ドット)になると,発光の量子収率は近年90%まで上昇するようになってきています。更に,量子閉じ込め効果と表面効果により,発光波長は可視光全般(400-800nm)までに及びます。

 

本セミナーでは,シリコンの量子ドットについて紹介します。はじめに,量子ドットとLEDの基礎ついて説明します。次にバルクシリコン,ナノシリコンの構造と光物性について説明します。最後に,最先端のシリコン量子ドットの合成・構造・物性,そしてそれらを用いたLEDの製造法・構造・特性について説明します。また,それらの耐久性についても紹介します。

 

得られる知識

  • 量子ドットと量子ドットLEDの基礎知識
  • シリコン量子ドットの合成・構造・機能,LEDの製造法・構造・特性
    これらにより,重金属フリーとなる量子ドットとそのLEDについて,最新の知識が得られます。

 

受講対象

  • 量子ドットの光デバイスに興味を持たれる方
  • 環境にやさしい重金属フリーの量子ドットに興味を持たれる方

 

担当講師

広島大学 自然科学研究支援開発センター 研究開発部門(物質科学部) 副センター長/大学院先進理工系科学研究科(化学プログラム) 教授 博士(理学) 齋藤 健一 氏

 

専門:マテリアルサイエンス,ナノサイエンス,物理化学
学歴:1994年学習院大学大学院自然科学研究科博士前期課程修了,1997年総合研究大学院大学数物科学研究科博士後期課程修了 博士(理学)
職歴:1997年日本原子力研究所,大阪大学工学部博士研究員,1998年千葉大学助手,2004年広島大学助教授を経て,2011年より同教授。この間,Stanford大学客員研究員,JSTさきがけ研究員。
現在の研究分野/テーマ:Materials science,物理化学,光機能化学,エネルギー科学
趣味はジョギング,食べ歩き,庭仕事など。
ホームページ: https://home.hiroshima-u.ac.jp/saitow/

 

セミナープログラム(予定)

1.背景 -量子ドット・LED・溶液プロセスまで-
1.1 エネルギーに関する現状と課題
1.2 量子ドットの構造と性質
1.3 P型半導体とN型半導体
1.4 PN接合
1.5 LEDについて
1.6 溶液プロセスについて

 

2.バルクシリコン
2.1 シリコンの製造法
2.2 シリコンの構造
2.3 シリコンのバンド構造
2.4 バンド構造の見方
2.5 バンドギャップの生成
2.6 電子と正孔
2.7 フェルミ準位
2.8 有効質量
2.9 真性半導体と化合物半導体
2.10 バンド間遷移(直接遷移と間接遷移)

 

3.ナノシリコン
3.1 ナノシリコンの歴史
3.2 シリコン量子ドットの歴史
3.3 ナノシリコンの構造と光物性
3.4 量子サイズ効果
3.5 有効質量近似
3.6 表面効果
3.7 表面リガンドの影響
3.8 SバンドとFバンド

 

4.シリコン量子ドットの合成・構造・物性
4.1 トップダウン法とボトムアップ法
4.2 電気化学的手法
4.3 ボールミル法
4.4 レーザーアブレーション法
4.5 プラズマ合成法
4.6 液相還元法
4.7 焼結法
4.8 化学エッチング法
4.9 青色発光するシリコン量子ドット
4.10 緑色発光するシリコン量子ドット
4.11 赤色発光するシリコン量子ドット
4.12 シリコン量子ドットの耐久性
その他:各手法で得られたシリコン量子ドットの構造と物性を,それぞれ紹介します。

 

5.シリコン量子ドットLEDの製造・構造・特性
5.1 アノードとカソード
5.2 フォトルミネッセンス(PL)とエレクトロルミネッセンス(EL)
5.3 順構造と逆構造
5.4 LEDの製膜法
5.5 正孔輸送層と電子輸送層
5.6 電流電圧特性
5.7 外部量子効率
5.8 表面構造とLEDの効率
5.9 その他のデバイス1(ソーラーウインドウ)
5.10 その他のデバイス2(量子ドットフィルム)
5.11 その他のデバイス3(センサー,バイオマーカーなど)

 

6.まとめと展望

 

□ 質疑応答 □

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

 

開催場所

未定

 

受講料

未定

 

配布資料

※間近でのお申込みの場合、セミナー資料の到着が開催日に間に合わないことがございます。

 

オンライン配信のご案内

※【Live配信(zoom使用)対応セミナー】についてはこちらをご参照ください

 

備考

※講義の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

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