研磨・CMPプロセスの高効率化と評価技術【提携セミナー】

★高品質、高効率なプロセスを設計するには？ 大口径化への対応技術を詳解！

研磨・CMPプロセスの

高効率化と評価技術

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

• SiCパワー半導体の開発動向とウェハの研磨、CMP工程の技術動向
• 固定砥粒定盤を用いた電気化学機械研磨によるSiCのスラリーレス高能率ダメージフリー研磨
• CMPの測定、表面解析技術

習得できる知識

【第1部】

• 半導体用SiCウェハ加工技術の基礎知識
• SiCウェハ加工技術の開発動向や技術課題
• SiCウェハ産業の今後の動向に関する情報

【第2部】

• 電気化学機械研磨によるスラリーを用いない新しいSiCウエハの高能率ダメージフリー研磨技術
• 固定砥粒定盤を用いたSiCウエハの平坦化と平滑化を両立する研磨技術

【第3部】

• 原子間力顕微鏡（AFM）の測定原理と表面解析応用例。
• ３次元白色干渉計の測定原理と表面解析応用例。
• およびAFMを用いたナノスケール分光分析の基礎と測定例（欠陥、異物）

担当講師

【第1部】

(国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)　加藤 智久 氏

【第2部】

大阪大学　大学院工学研究科　物理学系専攻　教授　博士（工学）　山村 和也 氏

【第3部】

ブルカージャパン(株)　ナノ表面計測事業部　アプリケーション部　アプリケーションマネジャー　鈴木 操 氏

セミナープログラム（予定）

＜１０：３０～１２：００＞

１．SiCパワー半導体の開発動向とウェハの研磨、CMP工程の技術動向

(国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)　加藤 智久 氏

【講座概要】

高出力で低損失な電力制御システムにSiCパワー半導体が普及始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要な技術分野として産業化加速が見込まれる。本セミナーではSiCウェハ加工工程の技術開発動向について解説し、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。

1.SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発

2.SiCウェハ加工技術

2.1 SiCウェハ加工工程と技術課題

2.2 SiC単結晶の切断技術

2.3 切断工程の高速化技術

2.4 切断工程の課題と新しい切断技術

2.5 SiCウェハの研削加工

2.6 研削加工の高速・鏡面化技術

2.7 研削工程の課題と新しい研削加工技術

2.8 SiCウェハの研磨加工

2.9 研磨加工と研削加工の特徴や違い

2.10 研磨工程の課題と新しい研削加工技術

2.11 SiCウェハのCMP加工

2.12 CMPの高速化技術

2.13 CMP工程の課題と新しいCMP加工技術

2.14 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴

2.15 加工変質層の評価技術

2.16 加工変質層の抑制技術

2.17 SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題

2.18 大口径化対応へ向けた解決策の検討

【質疑応答】

＜１３：００～１４：３０＞

２．固定砥粒定盤を用いた電気化学機械研磨によるSiCのスラリーレス高能率ダメージフリー研磨

大阪大学　大学院工学研究科　物理学系専攻　教授　博士（工学）　山村 和也 氏

【講座概要】

SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing: CMP）により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。

【受講対象】

• SiCウエハメーカー
• パワーデバイスメーカー

1.電気化学機械研磨（Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP）の原理

1.1 研究開発の背景

1.2 陽極酸化によるSiC表面の改質

1.3 SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性

1.4 固定砥粒定盤を用いたECMP装置

2.ECMPによる4H-SiCウエハの加工特性

2.1 表面ダメージと酸化レートの相関

2.2 電流密度と酸化レートの相関

2.3 表面歪みと酸化レートの相関

2.4 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性

3.まとめ

【質疑応答】

＜１４：４５～１６：１５＞

３．CMPの測定、表面解析技術

ブルカージャパン(株)　ナノ表面計測事業部　アプリケーション部　アプリケーションマネジャー　鈴木 操 氏

【講座概要】

研磨後の平滑平面に対するナノスケール表面解析方法を紹介します。 試料表面状態を解析するための各種測定機器の基礎を解説し、目的に合わせた装置の選び方および適切な測定手法について理解を深める。

【受講対象】

CMP加工前後における表面形状・粗さ・異物解析を目的とされる方。これらか評価装置を学習し将来導入を目指す方

1.原子間力顕微鏡

1.1 原子間力顕微鏡の基礎と測定モード

1.2 測定精度とイメージ品質

1.3 プローブ（探針）の選択方法

1.4 イメージの質と探針の関係性

1.5 測定例の紹介

2.３次元白色光干渉型顕微鏡

2.1 ３次元白色光干渉型顕微鏡の基礎

2.2 CMPサンプルへの応用例

3.AFM-IR（ナノスケール赤外分光技術）

3.1 AFM-IRの基礎と測定原理

3.2 AFM-IRの適用分野

3.3 半導体デバイスの測定事例

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023/10/10（火）10:30~16:15

開催場所

Zoomによるオンライン受講

受講料

1名につき60,500円(消費税込･資料付き)

〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕

技術情報協会主催セミナー　受講にあたってのご案内

• Live配信セミナーの接続確認・受講手順は こちら をご確認ください。
• お申込み・お支払い方法に関するご案内はこちら をご確認ください。

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。

※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。