Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と日本の現状【提携セミナー】
| 開催日時 | 未定 |
|---|---|
| 担当講師 | 山本 秀和 氏 |
| 開催場所 | 未定 |
| 定員 | 未定 |
| 受講費 | 未定 |
★次世代パワーデバイスの研究開発動向と課題、今後の展望を解説します
Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの
技術開発動向と日本の現状
【提携セミナー】
主催:株式会社技術情報協会
講座内容
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活の可能性について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
習得できる知識
次世代パワーデバイスの研究開発動向と課題、今後の展望について理解が深まる
担当講師
グリーンパワー山本研究所 所長 工学博士 山本 秀和 氏
セミナープログラム(予定)
【講演ポイント】
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活の可能性について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
【プログラム】
1.パワーデバイスの用途と電力変換
2.パワーチップおよびパワーモジュールの構造
3.Siパワーデバイス高性能化の歴史と最新構造
4.SiCパワーデバイスの優位性と技術課題
5.GaNパワーデバイスの優位性と技術課題
6.Ga2O3パワーデバイスの優位性と技術課題
7.パワーデバイス業界における日本の地位と将来展望
8.日本のパワーデバイスの復活に向けて
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
備考
資料は事前に紙で郵送いたします。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
★【LIVE配信】、【アーカイブ配信】のどちらかご希望される受講形態をメッセージ欄に明記してください。
※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。
※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。



































