SiCパワー半導体の最前線【提携セミナー】

このセミナーは終了しました。次回の開催は未定です。

開催日時 2022/5/30(月)10:30-16:30
担当講師

大谷 昇 氏

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

定員 -
受講費 【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:47,300円
【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:52,800円
シリコンカーバイド(SiC)研究20年以上の大谷先生がわかりやすく解説!

 

SiCパワー半導体の最前線

 

≪SiC単結晶ウェハ開発とビジネス展開≫

 

【提携セミナー】

主催:株式会社情報機構

 


 

現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード(SBD)、金属?酸化膜?半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

 

◆受講後、習得できること

SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、
SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。

 

◆受講対象者

半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、
電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある
企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン

 

担当講師

関西学院大学 工学部 教授 Ph.D. 大谷 昇 先生

 

セミナープログラム(予定)

【10:30~12:00】
SiCパワー半導体開発の現状

 

1. SiCパワー半導体開発の背景
1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

 

2. SiCパワー半導体開発の歴史
2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

 

3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
3.1. SiCパワー半導体の市場
3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース

 

4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
4.1. SiC単結晶とは?
4.2. SiC単結晶の物性と特長
4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用

 

5. SiCパワーデバイスの最近の進展
5.1. SiCパワーデバイスの特長
5.2. SiCパワーデバイス(SBD、MOSFET)の現状
5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

 

【13:00~14:30】
SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望

 

6. SiC単結晶のバルク結晶成長
6.1. SiC単結晶成長の熱力学
6.2. 昇華再結晶法
6.3. 溶液成長法
6.4. 高温CVD法(ガス法)
6.5. その他成長法

 

7. SiC単結晶ウェハの加工技術
7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
7.2. SiC単結晶の切断技術
7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術

 

8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

 

【14:45~16:15】
SiC単結晶ウェハ製造の技術課題

 

9. SiC単結晶のポリタイプ制御
9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象
9.2. 各種ポリタイプの特性
9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

 

10. SiC単結晶中の拡張欠陥
10.1. 各種拡張欠陥の分類
10.2. 拡張欠陥の評価法

 

11. SiC単結晶のウェハ加工
11.1. ウェハ加工の技術課題
11.2. ウェハ加工技術の現状

 

12. SiCエピタキシャル薄膜成長
12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状

 

13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

 

14. SiC単結晶ウェハの高品質化
14.1. マイクロパイプ欠陥の低減
14.2. 貫通転位の低減
14.3. 基底面転位の低減

 

15. まとめ

 

【16:15~16:30】
質疑応答

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2022年5月30日(月) 10:30-16:30

 

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

 

受講料

【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

 

*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。

 

オンライン配信のご案内

★ Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

 

備考

配布資料・講師への質問等について
●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
(開催1週前~前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)

 

●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

★【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】、【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】のいずれかから、ご希望される受講形態をメッセージ欄に明記してください。

 

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