パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

≪SiC結晶、欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法≫

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【ライブ配信】のみ

SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっているSiCウェハに含まれている多くの結晶欠陥を評価するには

SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法、、、、
「欠陥」が発生するメカニズム、SiCウェハの欠陥評価法を理解し、高品質な結晶成長の実現へ

セミナー趣旨

SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。

本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

得られる知識

SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識とその評価手法を理解することができる

受講対象

SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方

キーワード

:SiC、結晶成長、結晶欠陥、転位、X線トポグラフィ、偏光観察

担当講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　附属未来エレクトロニクス集積研究センター　未来デバイス部
准教授　博士（工学）　原田 俊太　氏

セミナープログラム（予定）

1．はじめに：SiCパワーデバイスと結晶欠陥
1．SiCパワーデバイスの特性と高品質SiC結晶基板の重要性
2．SiC基板市場の現在地と供給状況
3．SiCウェハにおける「品質」とは

2．SiCの結晶構造
4．SiCの結晶多形（Polytype）とその記述
5．六方晶の結晶方位（四指数法）
6．Si面とC面、オフ角

3．結晶欠陥の基礎
7．結晶欠陥の種類（点欠陥・線欠陥・面欠陥）
8．転位の基礎（刃状転位・らせん転位・混合転位）

4．SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
9．SiC特有の欠陥（マイクロパイプ・貫通転位・基底面転位）
10．貫通転位の分類（TSD・TED・TMD）と基底面転位（BPD）
11．積層欠陥とエピ膜中の欠陥
12．デバイスリーク電流・耐圧への影響
13．酸化膜信頼性への影響
14．バイポーラ劣化と積層欠陥拡張メカニズム

5．結晶欠陥の評価法
15．結晶欠陥評価法の全体像
16．X線トポグラフィ法（放射光トポグラフィ含む）
17．フォトルミネッセンス法（PL）
18．偏光顕微鏡法（PLM）
19．KOHエッチング法
20．透過電子顕微鏡法（TEM）
21．各評価手法の特徴と適用範囲

6．マルチモーダル解析と自動検出
22．結晶欠陥のマルチモーダル解析
23．複数評価手法による同一欠陥の対応付け
24．欠陥自動検出アルゴリズム（画像処理）

7．結晶欠陥制御の実例
25．昇華法・溶液法による結晶成長と欠陥低減
26．イオン注入による積層欠陥拡張の抑制技術

まとめ・質疑応答
27．まとめ：SiC結晶欠陥評価・制御の重要性
28．質疑応答

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【ライブ配信】 2026年6月29日（月）  13:00～16:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

一般受講：本体45,000円＋税4,500円

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2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)

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1名申込みの場合：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円 )

定価：本体36,000円＋税3,600円
E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,4400円

※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。

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配布資料

製本資料（開催日の4、5日前に発送予定）
※ライブ配信受講で開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、
　到着が間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。

オンライン配信のご案内

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備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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