★次世代パワー半導体として注目を集める「ダイヤモンド半導体」
大口径ウエハの成長技術から特性を引き出すデバイス作製まで最新の研究成果を報告！

ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

現在、環境・省エネルギーの観点や電気自動車への期待から、エネルギー効率が格段に高くなるワイドギャップ半導体の研究が盛んに行われています。その中で、ダイヤモンド半導体は最も効率が高い「究極のパワー半導体」です。しかし、これまでは、ダイヤモンド結晶のサイズの問題や半導体デバイスの技術的な問題により、なかなか進展が見られませんでした。

ところが、この1，2年で、2インチ径ダイヤモンドウェハを量産できる結晶成長技術や半導体デバイス特性を決めるデバイス作製技術が急速に進展し、「究極のパワー半導体デバイス」が現実味を帯びてきました。

本セミナーでは、ダイヤモンドの半導体での物性の説明から、急速に進展したダイヤモンドの結晶成長技術とデバイス作製技術をわかりやすく説明いたします。
企業、大学の研究開発の現場におられる研究者、技術者から、一般、学生の方まで対象としております。

習得できる知識

• ダイヤモンドの半導体物性がなぜ優れているのか
• ダイヤモンドの半導体デバイスの作製方法
• ダイヤモンドの半導体デバイスの特性
• ダイヤモンド半導体デバイスの今後の課題

担当講師

佐賀大学　大学院理工学研究科　教授　嘉数 誠 氏

セミナープログラム（予定）

１．ダイヤモンド半導体の社会からの期待

1.1 ダイヤモンドの物性の特徴

1.2 様々なダイヤモンド半導体デバイス

２．ダイヤモンド結晶成長技術

2.1 ダイヤモンド結晶成長の基礎

2.2 ダイヤモンドCVD成長技術

2.3 ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長技術

2.4 なぜサファイア基板を用いるか

2.5 ダイヤモンド結晶成長機構の最近の成果

2.6 今後の課題

３．ダイヤモンド半導体デバイス作製技術

3.1 パワー半導体デバイスの原理

3.2 ダイヤモンドのドーピング技術

3.3 ダイヤモンドの絶縁膜堆積技術

3.4 ダイヤモンドFET作製方法

3.5 ダイヤモンドFETの新構造、選択ドーピング構造

3.6 ダイヤモンドFETのパワー特性

3.7 ダイヤモンドFETの高周波特性

3.8 今後の課題

４．将来の展望

５．まとめ

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023/1/16（月）13:00~16:30

開催場所

Zoomによるオンライン受講

受講料

1名につき49,500円(消費税込･資料付き)

〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44,000円(税込)〕

技術情報協会主催セミナー　受講にあたってのご案内

• Live配信セミナーの接続確認・受講手順は こちら をご確認ください。
• お申込み・お支払い方法に関するご案内はこちら をご確認ください。

備考

資料は事前に紙で郵送いたします。

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。

※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。