ALE(アトミックレイヤーエッチング)技術の基本原理と最新動向、今後の展望【提携セミナー】

アトミックレイヤーエッチング

ALE(アトミックレイヤーエッチング)技術の基本原理と最新動向、今後の展望【提携セミナー】

開催日時 未定
担当講師

篠田 和典 氏

開催場所 未定
定員 -
受講費 未定

~メーカーの研究開発現場に携わる講師がALEの現状をお伝えします~

 

ALE(アトミック レイヤー エッチング)技術の

基本原理と最新動向、今後の展望

 

【提携セミナー】

主催:サイエンス&テクノロジー株式会社

 


 

半導体加工の微細化は原子層レベルに到達しており、3次元構造化と積層化による集積度向上が加速しています。また、ポストスケーリングに向けて、新構造トランジスタや新材料の検討が進んでいます。このため今後の半導体製造では、様々な膜種を原子層レベルの寸法精度でエッチング加工する技術が重要になります。

 

そこで本講座では、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説します。

 

担当講師

(株)日立製作所 研究開発グループ 計測・エレクトロニクスイノベーションセンタ
ナノプロセス研究部主任研究員 篠田 和典 氏

 

セミナープログラム(予定)

1. 半導体デバイス製造におけるエッチング
1) エッチングとは
2) エッチング工程の種類

 

2. デバイス動向とエッチングの先端課題
1) ロジック/メモリーデバイスの動向
2) エッチングの歴史と先端課題

 

3. エッチングの基礎
1) プラズマエッチング
2) ウェットエッチング

 

4. 従来エッチングの課題
1) 面内分布
2) エッチング損傷

 

5. アトミック レイヤー エッチング(ALE)の基礎 
1) ALEの原理
2) ALE手法の分類

 

6. 有機金属錯体反応による等方性ALE
1) La2O3
2) Co

 

7. プラズマアシスト熱サイクルによる等方性ALE
1) Si3N4
2) SiO2
3) TiN
4) W

 

8. ハロゲン化とイオン照射による異方性ALE
1)Si

 

9. フルオロカーボンアシストによる異方性ALE
1)Si3N4

 

10. 今後の課題

 

質疑応答・名刺交換

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

 

開催場所

未定

 

受講料

未定

 

 

配布資料

【会場受講】製本テキスト(当日会場にて配布)
【WEBセミナー受講】製本テキスト(開催日を目安に発送)

※セミナー資料はお申し込み時のご住所へ発送させていただきます。
※開催日の4~5日前に発送します。 開催前日の営業日の夕方までに届かない場合はお知らせください。
※Live配信を受講される場合、開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。当日映し出すスライドも配信されますので、セミナー視聴には差し支えございません。

 

オンライン配信のご案内

こちらをご参照ください

 

備考

  • 資料付
  • 講義の録画・録音・撮影はご遠慮ください。
  • 講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

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