遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の

物性・合成・薄膜形成とデバイス応用

トランジスタ・光デバイス・センサ等のデバイス応用と

そのための要素プロセス技術・最新研究動向

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

近年、先端トランジスタをはじめ、様々なデバイス応用を見据えて世界的に研究が活発化している遷移金属ダイカルコゲナイド。
TMDCが期待されている背景から、分類・構造・物性、合成・薄膜形成、電界効果型トランジスタ・トンネルトランジスタ・メモリ等への応用、デバイス応用のためのプロセス技術、最新研究動向までを解説します。

セミナー趣旨

二次元層状物質の代表格である遷移金属ダイカルコゲナイド(Transition Metal Dichalcogenide ; TMDC)は、二次元性を舞台とした基礎物性研究の対象としてだけでなく、その物性を生かしたデバイス応用に至るまで、幅広い研究者の興味を引いている。特に近年では、Si CMOSトランジスタの微細化限界を打破し得る材料として、CMOS微細化を牽引する世界的大企業においても精力的に研究が進められている。

本セミナーでは、TMDCの物性、合成から、デバイス応用、更には、デバイス化のための要素プロセス技術までを含めて解説する。

得られる知識

TMDCの物性、合成、薄膜形成に関する基礎知識
TMDCのデバイス応用、デバイス化要素プロセスに関する基礎知識、最新研究動向

受講対象

TMDCの研究開発にこれから関わろうとする方、TMDCの物性、合成、デバイス応用に興味のある方。
物性科学、半導体デバイスに関する基礎知識を有する方が望ましい。

担当講師

(国研)産業技術総合研究所　上級主任研究員　博士　入沢 寿史　氏

専門：半導体工学
2003年株式会社東芝研究開発センター入社、2015年産業技術総合研究所入所。
新材料・新構造トランジスタ技術、デバイス物理に関する研究開発に従事。

セミナープログラム（予定）

１．序論
1.1 TMDCへの期待

２．TMDCの物性
2.1 分類
2.2 結晶構造
2.3 バンド構造
2.4 機械的特性
2.5 光学特性
2.6 電気特性

３．TMDCの合成、薄膜形成
3.1 バルク単結晶成長
3.2 機械的剥離法による薄膜形成
3.3 固体原料による化学気相成長
3.4 アルカリ金属添加による大粒径化
3.5 気体原料による化学気相成長
3.6 その他形成手法(原子層堆積法、スパッタ法、金属酸化物硫化法等)
3.7 TMDCヘテロ構造の形成

４．デバイス応用
4.1 電界効果型トランジスタ
4.2 トンネルトランジスタ
4.3 光デバイス
4.4 その他デバイス(センサ、メモリ、ニューロモルフィック)

５．デバイス化要素プロセス技術
5.1 低抵抗コンタクト形成技術
5.2 界面パッシベーション技術
5.3 ドーピング技術

６．おわりに

□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

開催場所

未定

受講料

未定

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
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