プラズマ化学やエッチング用プラズマ装置の基礎から、ALEや反応性イオンエッチング

（高アスペクト比深堀含む）等の最先端のエッチング技術の概要と動向まで。

セミナー中／セミナー後のご質問も可能です。（回答は可能な範囲となります）

半導体ドライエッチング技術

≪基礎から最先端応用まで≫

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

本講座では、半導体製造プロセスに用いられるエッチング技術に関して、その基礎から最近の最先端応用まで議論します。特に、高バイアス電圧プラズマによる高アスペクト比（HAR）深堀や原子層エッチング（ALE）等の最先端エッチング技術に関して、その表化学反応の基礎から理解できるような講義をおこないます。具体的な技術的課題をお持ちの受講対象者の方は、質問時間にご遠慮なく、ご質問ください。講義内容と関連付け、可能な範囲で回答します。

◆受講後、習得できること

• エッチング用プラズマ装置の基礎
• プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
• 反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ支援原子層エッチング（PA-ALE）、
  熱原子層エッチング（thermal ALE）の特徴と応用
  など

◆受講対象者

• 本テーマを体系的に学びたい方。
• 半導体エッチングプロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方で、具体的な課題を抱えている方。

◆必要な予備知識など

この分野に興味のある方なら、特に予備知識は必要ありません。

担当講師

大阪大学　工学研究科附属　アトミックデザイン研究センター　教授　浜口 智志 先生

1982年　東京大学理学部物理学科卒業
1987年　同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
1988年　ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
1988年-1990年　テキサス大学物理学科核融合研究所・研究員
1990年-1998年　IBM ワトソン研究所・主任研究員
1998年-2004年　京都大学エネルギー科学研究科・助教授
2004年-現在　　大阪大学工学研究科・教授

セミナープログラム（予定）

１．背景

２．プラズマ科学の基礎

３．代表的なプラズマプロセス装置
a）容量結合型プラズマ（CCP）装置
b）誘導結合型プラズマ（ICP）装置

４．反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
a）プラズマ表面相互作用
b）表面帯電効果
c）シリコン系材料エッチング反応機構
d）金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
e）高アスペクト比（HAR）エッチング概要

５．プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として

６．ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
a）熱ALD
b）プラズマ支援(PA-)ALD

７．ALEプロセスの概要と最新技術動向
a）PA-ALE
b）熱ALE：リガンド交換
c）熱ALE：金属錯体形成

８．半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX)

９．まとめ

＜質疑応答＞

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

開催場所

未定

受講料

未定

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備考

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●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
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