フォトレジストの材料設計と先端半導体プロセス技術【提携セミナー】

フォトレジストの材料設計と先端半導体プロセス技術【提携セミナー】

開催日時 2026/9/30(水)10:00~16:40
担当講師

宮路 由紀子 氏
工藤 宏人 氏
青木 健一 氏
遠藤 政孝 氏

開催場所

ZOOMを利用したLive配信

定員 30名
受講費 1名につき 60,500円(消費税込、資料付)
★求められる次世代レジスト材料の設計とプロセス面からのアプローチを徹底解説!

 

フォトレジストの材料設計と先端半導体プロセス技術

 

【提携セミナー】

主催:株式会社技術情報協会

 


 

講座内容

※セミナープログラム参照願います。

 

担当講師

阪本薬品工業(株) 研究所 素材開発グループ リーダー 宮路 由紀子 氏

 

関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科  教授 工藤 宏人 氏東京理科大学 大学院理学

 

研究科 化学専攻 准教授 博士(工学) 青木 健一 氏

 

Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏

 

セミナープログラム(予定)

【10:00-11:00】
1.ポリグリセリン系アクリレートの特徴と レジストへの応用
阪本薬品工業(株) 研究所 素材開発グループ リーダー 宮路 由紀子 氏

 

1.多官能アクリレートとは
1.1 アクリレートモノマーの種類と特長
1.2 機能性アクリレートモノマーの種類と特性
1.3 ポリグリセリン系アクリレートの開発コンセプト
1.4 ポリグリセリン系アクリレートのモノマー特性

 

2.ポリグリセリン系アクリレートの機能性
2.1 速硬化性
2.2 柔軟性 (低カール性・耐屈曲性)
2.3 硬度と柔軟性の両立とレジストへの応用
2.4 耐溶剤性
2.5 親水性
2.6 防曇性

 

3.ポリグリセリン系アクリレートのとレジストへの応用

 

【質疑応答】

 

 

【11:10-12:30】
2.フォトレジスト材料における研究開発事例
関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科  教授 工藤 宏人 氏

 

【講座趣旨】
感光性フィルム成型材料は、末端および側鎖に感光性基を有する直鎖状オリゴマーやポリマーであった。感光性フィルムは様々な用途への利用に伴い、それらの要求特性を満たすためには、従来の感光性材料では対応できないことが指摘され始めている。環状オリゴマーや多分岐ポリマーを基盤とした感光性材料は、直鎖状化合物を基盤とした感光性材料と比較すると、高感度化を示す。本講座では、環状オリゴマーや多分岐ポリマーを基盤とした感光性材料やレジスト材料の合成法から、それらの物理的と構成および、露光高感度化について説明する。

 

1.はじめに
1.1 UV硬化性樹脂材料について
1.2 レジスト材料について

 

2.環状オリゴマーを基盤とした感光性材料
2.1 環状オリゴマーを基盤としたUV硬化性樹脂材料
2.2 環状オリゴマーを基盤とした電子線、極端紫外線レジスト材料

 

3.ハイパーブランチポリマーを基盤とした感光性材料
3.1 ハイパーブランチポリマーを基盤としたUV硬化性樹脂材料
3.2 ハイパーブランチポリマーを基盤とした電子線、極端紫外線レジスト材

 

【質疑応答】

 

 

【13:20-14:40】
3.デンドリマー骨格を用いたフォトポリマー材料の合成と特性評価
東京理科大学 大学院理学研究科 化学専攻 准教授 博士(工学) 青木 健一 氏

 

【習得できる知識】
分子シミュレーションの基礎と応用、難溶性バイオマスの溶解シミュレーション、
分子シミュレーションを基盤とした機械学習駆動の溶媒探索技術

 

1.はじめに

 

2.クリックケミストリーを用いたデンドリマーの大量合成と応用展開について
2.1 デンドリティック高分子の特徴と有用性
2.2 クリックケミストリーを利用したデンドリマーの大量合成
2.3 デンドリマー大量合成の実際
2.4 デンドリマー末端の化学修飾による機能性材料の創製

 

【質疑応答】

 

 

【14:50-16:40】
4.先端半導体プロセスで求められる レジスト材料・技術
Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏

 

【習得できる知識】
・レジストの基礎と設計指針
・レジストの要求特性と課題
・対策 ・レジストの最新技術動向
・レジストの技術展望、市場動向

 

【講座趣旨】
微細加工を支えるリソグラフィ技術ではレジストの進展が必須となっている。本講演では、最新のロードマップを紹介した後、レジストの基礎と設計指針、要求特性、課題と対策、最新技術動向について解説する。注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス、PFASフリーレジストについても解説する。おわりにレジストの今後の技術展望、市場動向についてまとめる。

 

1.ロードマップ
1.1 デバイスのロードマップ
1.2 リソグラフィのロードマップ

 

2.レジストの基礎・設計指針と最新技術
2.1 溶解阻害型レジスト
2.1.1 g線レジスト
2.1.2 i線レジスト
2.2 化学増幅型レジスト
2.2.1 KrFレジスト
2.2.2 ArFレジスト
2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
2.3 ArF液浸レジスト/トップコート
2.3.1 ArF液浸リソグラフィの特徴
2.3.2 ArF液浸レジスト/トップコートの要求特性
2.3.3 ArF液浸レジスト/トップコートの設計指針
2.4 EUVレジスト
2.4.1 EUVレジストの特徴
2.4.2 EUVレジストの要求特性
2.4.3 EUVレジストの設計指針
2.4.3.1 EUVレジスト用ポリマー
2.4.3.2 EUVレジスト用酸発生剤
2.4.3.3 光分解性クエンチャー
2.4.4 EUVレジストの課題と対策
2.4.4.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
2.4.4.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
2.4.5 EUVレジストの動向
2.4.5.1 ネガレジストプロセス
2.4.5.2 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
2.4.6 EUVメタルレジスト
2.4.6.1 EUVメタルレジストの特徴
2.4.6.2 EUVメタルレジストの性能
2.4.7 EUVメタルドライレジストプロセス
2.5 新エッチング技術対応レジスト
2.5.1 クライオエッチング用レジスト
2.6 PFASフリーレジスト

 

3.レジストの技術展望、市場動向

 

【質疑応答】

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2026/9/30(水)10:00~16:40

 

開催場所

ZOOMを利用したLive配信

 

受講料

1名につき60,500円(消費税込・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕

 

技術情報協会主催セミナー 受講にあたってのご案内

 

備考

資料は事前に紙で郵送いたします。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。

※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。

 

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