ＥＵＶリソグラフィー技術の基礎、

最新技術動向と課題解決策および今後の展望

■レジスト材料プロセス、マスク欠陥技術、ペリクル技術、EUV用光源技術、Beyond EUV■

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

★ 半導体微細加工の最新動向、今後の半導体技術動向とは！
★ EUVリソグラフィーを徹底解説します！

セミナー趣旨

極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は３０年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。一方で、2 nm node以降のロジックデバイス向けのEUVL技術について多くの技術課題を抱えています。

EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。

＜得られる知識・技術＞

極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。

担当講師

兵庫県立大学 学長特別補佐(先端研究担当)
産学連携・研究推進機構 放射光産業利用支援本部 本部長代行
高度産業科学技術研究所長特別補佐
極端紫外線リソグラフィー研究センター長 教授 理学博士　渡邊 健夫　氏

＜経歴＞
平成　２年　シャープ(株) 中央研究所
DRAMの研究開発に従事
光リソグラフィー、電子線リソグラフィー、X線等倍露光、極端紫外線リソグラフィー等の半導体微細加工の研究開発に従事
平成　８年　旧姫路工業大学高度産業科学技術研究所助手
極端紫外線リソグラフィーの研究開発に従事
平成１６年　兵庫県立大学高度産業科学技術研究所助教
極端紫外線リソグラフィーの研究開発に従事
平成２０年　兵庫県立大学高度産業科学技術研究所准教授
平成２７年　兵庫県立大学高度産業科学技術研究所教授
同研究所極端紫外線リソグラフィー研究開発センター　センター長を兼務
平成28年　兵庫県立大学高度産業科学技術研究所所長・教授
同研究所極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長を兼務
令和３年 兵庫県立大学学長特別補佐（先端科学技術研究担当）を兼務
同大学　高度産業科学技術研究所 所長補佐
同研究所　極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長・教授
令和4年 兵庫県立大学学長特別補佐
（先端科学技術・異分野融合研究推進担当）
同大学　高度産業科学技術研究所長特別補佐
同研究所　極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長・教授、現在に至る
＜受賞歴＞
1) 第７回日本物理学会論文賞, 渡邊健夫他、3月26日，2002.
2) Best Poster Award 1st Place, Takeo Watanabe, 2008 International Workshop on EUV Lithography, 2008.6.12.
3) Best Paper Award, Takeo Watanabe, 2013 International Workshop on EUV Lithography, 2013.6.14.
4) 大阪ニュークリアサイエンス協会賞, 渡邊健夫, 2016.5.26.
5) 令和4年7月　兵庫県立大学研究活動教員表彰　最優秀賞
6) International Conference of Photopolymer Science and Technology, Outstanding Contributions Award　（受賞日：令和5年6月29日）
＜国際学会の活動＞
1) フォトポリマー国際会議（International Conference of Photopolymer Science and Technology (ICPST).）会長、理事、EUVL国際シンポジウム議長
2) フォトマスクジャパン（International Conference on Photomask Japan）、組織委員会委員長
3) International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN)、プログラム委員
4) International Roadmap for Device and System (IRDS), Lithography Committee member
5) 兵庫県　次世代電池・半導体技術開発拠点推進協議会座長
＜WebSite＞
https://www.lasti.u-hyogo.ac.jp

セミナープログラム（予定）

１．はじめに
1.1 IoTおよびAIに期待すること
1.2 半導体市場
1.3 半導体国際ロードマップから読み取れること
1.4 半導体微細加工技術の必要性
1.5 今後の半導体技術動向と市場との関係
1.6 今後の半導体技術に期待すること

２．リソグラフィー技術
2.1 リソグラフィー技術の変遷
2.2 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
2.3 EUVリソグラフィーとは
2.4 EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要

３．兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
3.1 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
3.2 ニュースバル放射光施設の紹介

４．EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
4.1 レジスト材料プロセス技術
4.2 マスク欠陥技術
4.3 ペリクル技術
4.4 EUV用光源技術

５．Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波長化)の可能性

６．日本の半導体技術の過去、現在、今後
～日本の半導体技術の覇権に重要な要素～

７．まとめ

□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

開催場所

未定

受講料

未定

配布資料

製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
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