★本講演では、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、各デバイス応用、

開発の現状、課題、最新動向まで解説！

ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向

《ダイヤモンドウェハ製造技術 ／ ダイオード ／ トランジスタ》

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔（NV）中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。

本講演では、ダイヤモンドの魅力からダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。

◆習得できる知識

• ダイヤモンドの基礎的な知識が得られる。
• ダイヤモンド半導体研究の歴史・魅力を理解できる。
• ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題を理解できる。

◆受講対象

• ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方。
• ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方。

◆必要な前提知識

• 特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

◆キーワード

半導体、ダイヤモンドウェハ、SiC、GaN、FET、講演、セミナー

担当講師

金沢大学 ナノマテリアル研究所
教授（リサーチプロフェッサー）博士（工学） 徳田 規夫 氏

【ご専門】半導体工学

【略歴】
筑波大学でシリコンゲート絶縁膜、シリコン表面構造制御に関する研究で2005年に博士（工学）を取得。その後、産業技術総合研究所でポスドクとしてダイヤモンド研究を開始。主に、ダイヤモンド膜の成長制御技術を研究。2009年に金沢大学に助教として着任し、ダイヤモンド半導体ウェハ及びデバイスに関する研究を開始。2011年に准教授。2015年に金沢大学リサーチプロフェッサー。2018年度から2年間、産業技術総合研究所クロスアポイントメントフェローを兼務。2018年に教授。2020年度の1年間、京都大学化学研究所客員教授。2020年12月から株式会社KANAZAWA DIAMOND取締役を兼務。2024年4月からArizona State University・Visiting Professorを兼務。現在に至る。

【主な学会活動】
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・幹事
応用物理学会先進パワー半導体分科会・幹事
応用物理学会北陸・信越支部・副支部長

セミナープログラム（予定）

1  はじめに　
1-1   半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
1-2   ダイヤモンド半導体研究の歴史

2  ダイヤモンドウェハ製造技術
2-1   成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
2-2   不純物ドーピング技術
2-3   スライス・カット技術
2-4   研磨技術

3  ダイヤモンドダイオード
3-1   ショットキーバリアダイオード
3-2   PN接合ダイオード
3-3   ショットキーPNダイオード(SPND)

4  ダイヤモンドトランジスタ
4-1    MESFET
4-2    JFET
4-3    BJT
4-4    MOSFET

5  その他のデバイス応用
5-1    深紫外線発光デバイス
5-2    電子放出デバイス
5-3    ダイヤモンド電気化学電極
5-4    ダイヤモンド中窒素-空孔（NV）中心を用いた量子デバイス/センサ

6  まとめと今後の展開以上

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024年12月17日（火） 12:30～16:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  46,200円 （本体価格：42,000円）

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• 1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
• 2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

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