★　『常時高負荷状態』『連続運転』『長期信頼性』を実現する

SiC／GaNデバイス実装への要求特性とは？

AIデータセンターへ向けた

パワー半導体の開発動向と実装技術、課題

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

※セミナープログラム参照願います。

習得できる知識

• SiC/GaNデバイスの開発動向とデータセンター/xEVなどへの応用展望
• 縦型GaNデバイスの真の社会実装に向けたQST x CFBによる新技術
• パワー半導体銀焼結接合における機械信頼性と銅粒子添加の効果

担当講師

筑波大学　数理物質系　教授　博士（工学）　岩室 憲幸 氏

沖電気工業(株)　グローバルマーケティングセンター　CFB事業開発部　谷川 兼一 氏

京都先端科学大学　工学部　教授　兼　東北大学　国際放射光イノベーション・スマート研究センター　教授　博士（工学）　生津 資大 氏

セミナープログラム（予定）

【10:30-12:00】
１．SiC/GaNデバイスの開発動向とデータセンター/xEVなどへの応用展望
筑波大学　数理物質系　教授　博士（工学）　岩室 憲幸 氏

【専門】

SiCパワー半導体デバイスの特性改善、信頼性向上の研究

【略歴】

富士電機株式会社に入社後、デバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにSiCデバイス研究、開発、製品化に従事。
1999年～2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
1992年米国North Carolina State Univ. 客員研究員.
2009 年5月～2013年3月　産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。

【講座の趣旨】

2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターの電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN（窒化ガリウム）パワー半導体デバイスの普及が期待されている。一方、xEV向けではSiC市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が徐々に進んでいる。しかしながらGaNパワー半導体デバイスが得意とする電力容量・周波数領域ではシリコンMOSFETが、またSiCが得意な大容量用途ではIGBTが、まだまだ主役として君臨している。本セミナーでは、最強のライバルであるシリコンMOSFET、IGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイスの開発技術の現状と今後の動向について、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

【習得できる知識】

• パワー半導体デバイスの最新技術動向とその市場動向。
• パワー半導体最新応用動向
• シリコンパワーデバイスの強みとSiC/GaN パワーデバイスの特長と課題。
• SiC/GaNパワー半導体デバイス最新技術動向

１．パワーデバイスの動向と開発のポイント
1.1　パワーデバイスの適用分野(データセンター・サーバーへの実装, EV/PHV)
1.2　次世代パワーデバイス開発の位置づけ

２．競合するシリコンパワーデバイス最新技術動向
2.1　パワー半導体デバイス市場の現在と将来
2.2 MOSFET特性改善を支える技術
2.3 IGBT特性改善次の一手

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1　SiC-MOSFET普及拡大のための4つの課題
3.2　特性改善・信頼性向上
3.3　実装技術の動向

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1　GaN-HEMTの特徴と課題
4.2　GaN-HEMTの最新技術（高耐圧化）
4.3　縦型GaNデバイスの最新動向

５．まとめ

【質疑応答】

【13:10-14:10】
２．縦型GaNデバイスの真の社会実装に向けたQST x CFBによる新技術
沖電気工業(株)　グローバルマーケティングセンター　CFB事業開発部　谷川 兼一 氏

【講座の趣旨】

カーボンニュートラル達成に向け、次世代パワー半導体は成長市場として注目されており、中でも縦型GaNパワーデバイスは、高い性能ポテンシャルのため期待されております。しかし、普及には課題があります。
本セミナーでは、縦GaNの普及課題を明確化し、信越化学様のQST基板とOKIのCFB技術の共創による、縦型GaNの普及に向けた新技術をご紹介いたします。

１．次世代パワー半導体の動向
1.1　取り巻く環境
1.2　市場動向
1.3　GaNの高い性能ポテンシャル
1.4　GaNの課題

２．QSTの紹介
2.1　QST基板構造と特長
2.2　驚異的な特性の実現
2.3　普及可能な大口径化の実現
2.4　GaNデバイス実績とCFBとの親和性

３．CFBの紹介
3.1　歴史
3.2　量産実績
3.3　技術概要
3.4　ビジネスモデル

４．QST x CFBの課題解決
4.1　縦型GaNの課題解決
4.2　縦型GaNのプロセス提案

【質疑応答】

【14:30-16:00】
３．パワー半導体銀焼結接合における機械信頼性と銅粒子添加の効果
京都先端科学大学　工学部　教授　兼　東北大学　国際放射光イノベーション・スマート研究センター　教授　博士（工学）　生津 資大 氏

【専門】

ナノメカニクス，ナノテクノロジ，機能性材料

【略歴】

2002～2015　兵庫県立大学工学研究科　助教・准教授
2009～2012　JSTさきがけ研究員（兼務）
2016～2019　愛知工業大学工学部　教授
2020～ 　京都先端科学大学工学部　教授
2025～ 　東北大学国際放射光イノベーション・スマート研究センター　教授（兼務）

【講座の趣旨】

パワー半導体素子のダイボンディングとして期待されるナノ銀焼結接合について，現状の技術課題に加え，銅ならびに酸化銅微粒子を混入させた場合の技術的利点などを実験結果とともに紹介する．

１．パワー半導体接合の現状と課題

２．ナノ銀焼結接合
2.1　ナノ銀ペースト
2.2　ナノ銀焼結膜の機械信頼性
2.3　SiCダイアタッチの熱機械信頼性
2.4　ナノ銀焼結膜の破壊メカニズム

３．銅粒子添加ナノ銀焼結接合
3.1　銅粒子含有ナノ銀ペースト
3.2　銅粒子添加の効果

４．酸化銅ナノ粒子添加ナノ銀焼結接合
4.1　酸化銅ナノ粒子の合成
4.2　酸化銅ナノ粒子添加の効果

５．まとめ

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2026/4/17（金）10:30~16:00

開催場所

ZOOMを利用したLive配信

受講料

1名につき60,500円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕

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資料は事前に紙で郵送いたします。

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