★半導体の各プロセスを学ぶだけでは見えにくい

「なぜその特性が生まれるのか」をデバイス物性から理解。

設計・材料・製造・評価をつなぐ技術の全体像が見え、

現場でのコミュニケーションや技術習得をスムーズにします。

半導体デバイスを基礎から理解する：

現場や実務で役立つデバイス物性入門

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

半導体デバイスの理解は、現代の電子機器・情報技術を支える基盤として欠かせませんが、初学者にとっては専門用語や数式の多さから全体像をつかみにくい分野でもあります。本セミナーでは、半導体デバイスの基礎概念を「基礎の基礎」から丁寧に整理し、pn 接合・ダイオード・トランジスタ・MOSFET といった主要デバイスの動作原理を物理的な意味から理解できるよう構成しています。また、デバイス物性の理解が、設計・シミュレーション・材料選定・成膜プロセスなど、半導体業界の多様な技術領域とどのようにつながっているのかを俯瞰し、業界全体の構造を見通すための視点を提供します。非電気電子系の方や、半導体関連業務に携わり始めた若手技術者でも無理なく学べるよう、基礎から段階的に理解を深める構成としています。基礎知識を確実に身につけることで、今後の技術習得や現場でのコミュニケーションを円滑に進められるようになることを目的としています。

◆習得できる知識

半導体デバイスの基本構造と動作原理を体系的に理解し、pn 接合・ダイオード・トランジスタ・MOSFET といった主要デバイスの物性を“なぜその特性が生じるのか”という基礎から把握できるようになります。
さらに、デバイス設計・シミュレーション・材料・成膜プロセスなど、半導体業界で扱われる主要な技術領域の関係性を俯瞰し、デバイス物性の理解がどのように製造・評価・設計の判断につながるかを全体像として捉える力を身につけていただけます。
非電気電子系の方でも、基礎物理から段階的に学ぶことで、半導体業界の技術構造を無理なく理解し、現場でのコミュニケーションや技術習得を円滑に進められるようになります。

◆受講対象

半導体製造や半導体関連装置関連の業務に携わって 1〜2 年程度の若手技術者や新人の方、および非電気電子系の分野から半導体関連業務へ進まれた方。
半導体デバイスを基礎から体系的に学びたい方、デバイス物性の理解を業務の土台として身につけたい方

◆必要な前提知識

特に予備知識は必要ありません。半導体デバイスの基礎概念から丁寧に解説いたします。高校レベルの物理・数学（電流・電圧・グラフの読み取りなど）を理解していると、よりスムーズにご受講いただけます。非電気電子系の方や、半導体業界に入られたばかりの方でも問題なくご参加いただける内容です。

担当講師

大阪工業大学
工学部　電子情報システム工学科　准教授
廣芝 伸哉氏

【ご専門】
電気電子材料、酸化物半導体、有機半導体、薄膜成長、バイオセンサ

【ご経歴・その他役職等】
電気学会C部門　電子材料技術委員会　委員（2026/4より委員長）
応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会　常任幹事
応用物理学会　関西支部　幹事
https://hiro48n.wixsite.com/hiroshiba-lab/

セミナープログラム（予定）

1．半導体とは何か：材料・構造・産業の基礎理解
1-1．半導体材料の特徴（Si・Ge・化合物半導体）
1-2．キャリア・バンド構造の基礎
1-3．半導体産業の全体像（デバイス・材料・装置・プロセス）

2．半導体業界の主要領域を俯瞰する
2-1．デバイス設計（構造・回路設計の基礎）
2-2．シミュレーション（TCAD の役割）
2-3．材料・成膜プロセス（CVD・PVD・ALD の基礎）
2-4．評価・解析（物性評価の基本的視点）
2-5．業界の技術構造と職種のつながり

3．基礎理解が実務につながるポイント
3-1．デバイス物性と設計判断の関係
3-2．材料・プロセスとデバイス特性のつながり
3-3．新人・若手が押さえるべき“共通言語”
3-4．基礎を学ぶ意味と応用への橋渡し

4．半導体技術の発展と最新動向（入門者向け）
4-1．微細化・新材料・新構造の流れ
4-2．AI・自動車・IoTで求められるデバイス
4-3．基礎を理解すると見える技術トレンド
4-4．今後の技術者に求められる視点

5．pn接合の基礎とデバイス物性の出発点
5-1．pn接合の形成と空乏層
5-2．順方向・逆方向特性の理解
5-3．pn接合がすべてのデバイスの基礎となる理由

6．ダイオードの動作原理と基本特性
6-1．I–V 特性の読み方
6-2．温度依存性と逆方向特性
6-3．ダイオードの応用と役割（整流・保護・検出）

7．トランジスタ（BJT）の基礎理解
7-1．増幅のしくみ
7-2．npn・pnp構造の違い
7-3．特性曲線の意味と読み方

8．MOSFET の基礎：チャネル形成としきい値電圧
8-1．ゲート電圧で電流が流れる理由
8-2．しきい値電圧の物理的意味
8-3．MOS構造が現代デバイスの中心となった背景

9．デバイス特性を理解するための測定基礎
9-1．I–V 特性の基礎
9-2．C–V 特性の基礎
9-3．測定条件が特性に与える影響

10．プロセス微細化のトレンド（追加）
10-1微細化の歴史（μm → nm → Å）
10-2 FinFET・GAA（Gate-All-Around）構造の登場
10-3 EUV リソグラフィの役割
10-4 その他のsub-10 nmリソグラフィの技術
10-5 材料・プロセス・設計がどう変わるか

11．まとめと質疑応答
11-1．基礎から学ぶためのステップ
11-2．質疑応答

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【LIVE配信】2026/10/16（金） 12:30～16:30
【アーカイブ配信】10/19（月）～11/2（月）

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 49,500円 （本体価格：45,000円）
会員： 46,200円 （本体価格：42,000円）

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から

• 1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
• 2名以上同時申込の場合、1名につき半額の24,750円（税込）に割引になります。
  ※参加者全員の会員登録が必要です。登録料や年会費などは一切かかりません。

※LIVE配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合
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備考

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