★ 半導体微細化のキーマテリアル！　要求特性、開発事例、今後の課題を解説！

EUVメタルレジストの作製、反応機構と評価

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

レジストの歴史歴背景、メタルレジストの重要性、メタルレジストの作製方法およびメタルレジストのEUVによる反応機構を紹介する。メタルレジストの反応機構を明らかにする分析手法に関しても紹介する。
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。本講演では、EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化にについて解説します。特に、メタルレジスト材料の性能評価に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介する。
EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術について解説します。特に、現在、開発が進んでいる次世代EUVレジストである、メタルレジストの特徴と評価方法についても、解説します。

習得できる知識

• メタルレジストがなぜ重要か、メタルレジストの基本構造、メタルレジストのEUV露光による反応機構

担当講師

１．(国研)物質・材料研究機構　主幹研究員，(併任)九州大学　工学府　准教授　博士(理学)　山下 良之 氏

２．(国研)量子科学技術研究開発機構　高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター　主幹研究員　山本 洋揮 氏

３．リソテックジャパン(株)　専務取締役　ナノサイエンスグループ長　博士(工学)　関口 淳 氏

セミナープログラム（予定）

【10:30-12:00】

１．EUVメタルレジストの作製, 物性評価と反応機構

(国研)物質・材料研究機構　山下 良之 氏

１．レジスト
1.1 レジストの歴史
1.2 レジストの歴史的背景
1.3 メタルレジストの重要性

２．メタルレジスト
2.1 メタルレジストの種類
2.2 メタルレジストの作製方法
2.3 メタルレジストの構造
2.4 メタルレジストのEUV露光後の構造

３．メタルレジストEUV露光による反応機構の解析
3.1 XRDによるEUV露光による構造変化解明
3.2 光電子分光によるEUV露光による反応元素解明
3.3 XANESによるEUV露光による反応化学結合解明

【質疑応答】

【13:00-14:30】

２．EUVレジスト材料の反応機構、高性能化とメタルレジスト材料の性能評価

(国研)量子科学技術研究開発機構　山本 洋揮 氏

１．はじめに
1.1 リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷
1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム

２．EUV/EBレジストの反応機構
2.1 EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構
2.2 EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化
2.3 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性
2.4 ＥＵＶ/EB化学増幅型レジストの問題点
2.5 ＥＵＶ/EBレジストの設計指針

３．メタルレジスト材料の性能評価
3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
3.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
3.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
3.4 メタルレジスト材料の性能評価

４．今後の課題

【質疑応答】

【14:45-16:15】

３．EUVレジスト、メタルレジストの評価技術

リソテックジャパン(株)　関口 淳 氏

１．EUVLの概要
1.1 EUVLの概要
1.2 EUVL用レジスト

２．アウトガス評価技術
2.1 EUVLレジストのアウトガス評価方法
2.2 EUVLレジストのアウトガス評価装置

３．EUVレジストの評価技術
3.1 EUV透過率測定
3.2 ナノパーティクル添加レジストの高感度化
3.3 屈折率nk測定
3.4 EUV2光束干渉露光

４．EUVメタルレジストの評価技術
4.1 メタルレジストの概要
4.2 EUVメタルレジストのアウトガス分析
4.3 EUVメタルレジストの問題点

５．EUVフォトレジストと電子線レジストの感度

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024/1/22（月）10:30~16:15

開催場所

Zoomによるオンライン受講

受講料

1名につき60,500円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕

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