ダイヤモンド半導体の基礎とデバイス応用【提携セミナー】
開催日時 | 未定 |
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担当講師 | 徳田 規夫 氏 |
開催場所 | 未定 |
定員 | - |
受講費 | 未定 |
半導体材料として注目のダイヤモンド!
国内外の研究動向を踏まえ、 課題および今後の展望についてわかりやすく解説。
ダイヤモンド半導体の基礎とデバイス応用
【提携セミナー】
主催:株式会社情報機構
ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。
本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ応用に関する国内、海外の研究開発状況を踏まえ、課題および展望について、我々の研究成果を中心に解説します。
◆受講後、習得できること
- ダイヤモンドの物性
- 半導体の基礎
- ダイヤモンド結晶成長技術
- ダイヤモンド加工プロセス技術
- ダイヤモンド表面・界面構造制御技術
- ダイヤモンドデバイスの最新技術動向
◆受講対象者
- パワー半導体、ウルトラワイドバンドギャップ半導体の初学者
- 本テーマ(ダイヤモンド半導体)にご関心のある方
担当講師
金沢大学 ナノマテリアル研究所 教授(リサーチプロフェッサー)
博士(工学) 徳田 規夫 氏
セミナープログラム(予定)
1.はじめに
1)ダイヤモンドの魅力
2)ダイヤモンドの応用
3)ダイヤモンドパワー半導体の必要性
4)ダイヤモンド半導体研究の歴史
2.ダイヤモンドウェハ製造技術
1)成長技術
a) 高温高圧法
b) プラズマCVD法
c) 熱フィラメントCVD法
2)不純物ドーピング技術
a) ホウ素
b) リン
c) 窒素
3)ダイヤモンド加工技術
a) レーザーカット
b) スライス
c) 研磨
d) 平坦化
3.ダイヤモンドダイオード
1)ショットキーバリアダイオード
2)PN接合ダイオード
3)ショットキーPNダイオード
4.ダイヤモンドトランジスタ
1)BJT
2)JFET
3)MESFET
4)MOSFET
a) 水素終端型
b) Deep depletion型
c) 反転層型
5.まとめと今後の展望
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
●録音・録画行為は固くお断り致します。
備考
配布資料・講師への質問等について
●配布資料は、印刷物を郵送で送付致します。
お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。
お申込みは4営業日前までを推奨します。
それ以降でもお申込みはお受けしておりますが(開催1営業日前の12:00まで)、
テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。
●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
お申し込み方法
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