半導体光触媒を用いた人工光合成【提携セミナー】
| 開催日時 | 未定 |
|---|---|
| 担当講師 | 加藤 正史 氏 |
| 開催場所 | 未定 |
| 定員 | - |
| 受講費 | 未定 |
本セミナーでは半導体光電極、
特にシリコンカーバイド（SiC）光電極を用いた
人工光合成技術を解説します。
半導体光触媒を用いた人工光合成
≪シリコンカーバイド（SiC）の活用、CO2を発生させない水素生成≫
【提携セミナー】
主催：株式会社情報機構
本セミナーでは半導体光電極、特にシリコンカーバイド（SiC）光電極を用いた人工光合成技術を解説します。
光電極による人工光合成では太陽光のエネルギーと水だけでエネルギー資源である水素を製造できます。また、SiC光電極を用いると耐久性とエネルギー変換効率を両立することができます。しかしながら、SiCの結晶成長は容易ではなく、高効率な光電極を作るには高度な技術が必要となります。従って、SiCの物性・結晶成長技術から、光電極による人工光合成の将来展望まで、他技術との比較も含めて幅広く解説します。
◆受講後、習得できること
- 光電極による人工光合成（水素生成）の原理
- SiC光電極の特徴と高効率化手法
- SiC結晶成長技術の概要
◆受講対象者
- 半導体部材や新素材メーカーの技術者・研究者
- 人工光合成、水素生成技術の研究者
- 次代の研究テーマ、ビジネスの企画・調査を行う方
◆必要な予備知識など
半導体の知識があると理解が深まると思いますが、知識がない方でもわかるように、できるだけ平易に説明します。
担当講師
名古屋工業大学 大学院工学研究科 准教授 博士（工学）
加藤 正史 先生
セミナープログラム（予定）
１．水素エネルギー
１－１ 太陽光からの水素生成：人工光合成
１－２ 半導体光触媒・光電極
２．シリコンカーバイド（SiC）とは
２－１ SiCの結晶構造
２－２ SiCの結晶成長
２－３ パワー半導体としてのSiC
２－４ SiCの評価法
２－５ 他材料との相違・類似
２－６ 光電極としてのSiC
３．SiC光電極の基礎実験
３－１ 電極構成
３－２ SiCによる水素生成可能性判定
３－３ 触媒活性確認
３－４ ポリタイプ依存性
４．SiC光電極の特徴
４－１ 3C-SiC結晶成長の困難さ
４－２ 品質改善した3C-SiCとその陰極特性
４－３ 水素発生の様子
４－４ 助触媒効果
４－５ pn接合の効果
４－６ 光閉じ込め効果
４－７ 酸化物光電極・太陽電池との組み合わせ
４－８ 長期耐久性
５．他手法との比較
５－１ 他の半導体光電極
５－２ 太陽電池－電解セル
６．将来展望
６－１ 光電極による人工光合成の将来展望
６－２ SiC光電極の将来展望
７．まとめ
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
備考
配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
（開催1週前～前日までには送付致します）。
準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
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