半導体CMPのメカニズムとスラリー・パッド技術【提携セミナー】
| 開催日時 | 2026/11/13（金）10:45~16:00 |
|---|---|
| 担当講師 | 畝田 道雄 氏 |
| 開催場所 | Zoomを利用したLive配信 |
| 定員 | 30名 |
| 受講費 | 60,500円（消費税込み・資料付き） |
★ スラリー・パッドの材料設計から高能率化、プロセスモニタリング技術を徹底解説！
半導体CMPのメカニズムとスラリー・パッド技術
【提携セミナー】
主催：株式会社技術情報協会
講座内容
- CMP（Chemical Mechanical Polishing）は半導体基板や各種基板の最終平坦化工程として広く用いられているが，スラリー中の砥粒がどのように基板へ作用して材料除去が生じるかについては十分に理解されていない．本講演では，接触画像解析法およびその場観察技術を用いて，CMP加工中の接触界面におけるスラリー挙動を可視化した研究成果を紹介する．さらに，これらの結果をもとに，スラリーのみならずパッドを含めた副資材の接触状態と材料除去との関係について考察し，CMPにおける材料除去メカニズムについて解説する。
- 微細化・高性能化が進む半導体製造プロセスにおいて、平坦化プロセスであるCMPの重要性と、砥粒に対する要求は高まり続けている。本講座では砥粒の物性と機能の関係、砥粒の取り扱い方と注意事項について、素材・砥粒メーカーの視点から解説する。
習得できる知識
- ナノ粒子の基本特性
- ハンドリング時の注意事項
- 研磨砥粒への応用例
担当講師
１． 岐阜大学 工学部 機械工学科 機械コース 教授 博士(工学) 畝田 道雄 氏
２． 日揮触媒化成(株) ファイン研究所 MM第一研究グループ マネージャー 碓田 真也 氏
３． ノリタケ(株) 研究開発センター 1グループ 1チーム 博士（工学） 佐藤 誠 氏
セミナープログラム（予定）
＜１０：４５～１２：１５＞
１．CMPの可視化とインプロセスモニタリング
岐阜大学 工学部 機械工学科 機械コース 教授 博士(工学) 畝田 道雄 氏
1.半導体製造におけるCMP・洗浄の位置付け
2.CMPで使われる副資材
2.1 スラリー
2.2 パッド
2.3 コンディショナ
3.CMPのメカニズム
3.1 スラリー(砥粒)とパッドの関係
3.2 砥粒による研磨作用
4.パッド状態センシング
4.1 パッドの連続使用による劣化、材料除去率の変化
4.2 接触画像解析
5.スラリー状態センシング
5.1 スラリー状態の観察、センシング技術
5.2 動的接触観察
6.モータ負荷電流によるプロセス状態センシング
7.AEセンシングによる CMPプロセスのリアルタイムモニタリング
【質疑応答】
＜１３：１５～１４：３０＞
２．シリカ系ナノ粒子の特徴と半導体研磨への応用技術
日揮触媒化成(株) ファイン研究所 MM第一研究グループ マネージャー 碓田 真也 氏
1.ナノ粒子とはどのようなものか？
1.1 基本特性
1.2 サイズ
1.3 形状
1.4 表面
1.5 バルク
2.ハンドリング時の注意事項
2.1 分散安定性に関して
3.研磨砥粒への応用例
3.1 データを元に事例紹介
【質疑応答】
＜１４：４５～１６：００＞
３．SiC単結晶の強酸化剤援用CMPと砥粒内包研磨パッドによるCMP
ノリタケ(株) 研究開発センター 1グループ 1チーム 博士（工学） 佐藤 誠 氏
1.SiC単結晶のCMP（最終研磨）に求められるもの
2.SiC単結晶の高能率CMP
2.1 SiC単結晶CMPの高能率化の試み
2.2 過マンガン酸カリウム援用によるSiC単結晶のCMP
3.SiC単結晶に用いるCMPパッドについて
4.砥粒内包研磨パッドのSiC単結晶のCMPへの適用
4.1 砥粒内包研磨パッドとは？
4.2 砥粒内包研磨パッドによる過マンガン酸カリウム援用CMP
4.3 SiC単結晶のさらなる高能率化
5.過マンガン酸カリウム援用CMPのメカニズムについて
6.まとめ
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
2026/11/13（金）10:45~16:00
開催場所
ZOOMを利用したLive配信
受講料
1名につき60,500円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕
備考
資料は事前に紙で郵送いたします。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。
※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。
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