ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法【提携セミナー】
開催日時 | 【LIVE配信】2025/10/22(水)13:00~16:00 , 【アーカイブ配信】10/23~11/5 (何度でも受講可能) |
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担当講師 | 植田 研二 氏 |
開催場所 | 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 |
定員 | - |
受講費 | 非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円) 会員: 46,200円 (本体価格:42,000円) |
ダイヤモンド半導体の最前線と
高性能パワーデバイスの開発・評価法
【提携セミナー】
主催:株式会社R&D支援センター
◆セミナー趣旨
ダイヤモンドは大きなバンドギャップ(5.45 eV)や、高い移動度(~2000 cm/V・s)、高絶縁破壊電圧(~6 MV/cm),高熱伝導度(~22 W/cm・K)等の優れた物理特性を有する事から,次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え,化学安定性にも優れている事から極限環境下(高温や放射線下等)で動作するパワーデバイスとしても期待されている。本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。
◆習得できる知識
- ダイヤモンド半導体パワーデバイス開発や研究の最前線について理解できる
◆受講対象
- ワイドギャップ半導体を用いた材料・デバイス開発に興味のある研究者・技術者
- ダイヤモンド半導体材料・デバイス開発の近年の状況に興味のある研究者・技術者
◆必要な前提知識
特に予備知識は必要ありません。
◆キーワード
ダイヤモンド半導体,パワーデバイス,結晶成長,パワーエレクトロニクス,講演,セミナー,研修
担当講師
早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 博士(理学) 植田 研二 氏
【略歴】
・2000年3月 大阪大学理学研究科(博士課程後期)化学専攻修了、博士(理学)
・2000年4月~2001年1月 大阪大学産業科学研究所 博士研究員
・2001年2月~2009年3月 NTT物性科学基礎研究所 研究員
・2009年4月~2022年3月 名古屋大学工学研究科 准教授
(2011年3~8月 Neel Institute, CNRS, France, 客員研究員 兼務)
・2022年4月~ 現職
早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授
(2022年6月~2023年3月 名古屋大学工学研究科 客員教授 兼務)
【学協会での役職等】
・日本応用物理学会東海支部幹事 , 2014年4月 ~2022年3月
・日本磁気学会 企画委員会委員, 2017年9月 ~2021年 3月
・日本応用物理学会APEX-JJAP編集委員:2010年4月 ~ 2016年3月
・日本真空学会 SP部会(スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会)幹事 、2010年4月 ~ 2014年3月
・日本真空学会東海支部幹事、2013年2月 ~ 2014年1月
・国際学会SSDM論文委員(エリア8)2011-2013 , 2011年4月 ~ 2014年3月
セミナープログラム(予定)
1. はじめに
1-1 ダイヤモンドの物理特性と半導体パワーデバイスとしてのポテンシャル
1-2 ダイヤモンド半導体研究の歴史
2. ダイヤモンド半導体結晶の作製技術
2-1 ダイヤモンド単結晶成長技術(高温高圧合成法等)
2-2 ダイヤモンド薄膜結晶成長(ホモエピ、ヘテロエピ成長)
2-3 ダイヤモンド半導体のドーピング技術(in-situドープ、イオン注入等)
2-4 ダイヤモンド終端面と伝導特性制御
3. ダイヤモンド半導体パワーデバイス作製技術
3-1 ダイヤモンドショットキーダイオード
3-2 ダイヤモンドPNダイオード
3-3 ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)
3-4 その他のダイヤモンドデバイス(バイポーラトランジスタ等)
4. まとめ
4-1 ダイヤモンドパワーデバイスの課題
4-2 今後の展望
公開セミナーの次回開催予定
開催日
【LIVE配信】2025/10/22(水)13:00~16:00
【アーカイブ配信】10/23~11/5 (何度でも受講可能)
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
受講料
非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 46,200円 (本体価格:42,000円)
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円(税込)から
★1名で申込の場合、46,200円(税込)へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円(2人目無料)です。
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