半導体用レジストの基礎と材料設計

および環境配慮型の新規レジスト除去技術

《レジストの特性や光化学反応、評価手法、EUVレジストや化学増幅型レジストなどを丁寧に解説》

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ

半導体やレジスト材料を扱う技術者・研究開発者・製造販売担当者におすすめのセミナー

レジスト材料（感光性樹脂）やプロセスの基礎から、ノボラック系ポジ型レジストおよびEUVレジストの材料設計、感度や解像度の向上技術、水素ラジカル・湿潤オゾン・マイクロバブル水を活性種として用いた環境に配慮したレジスト剥離技術までを分かりやすく解説します。
また、デバイスメーカー出身の講師視点から、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおける具体的なレジスト評価法についても詳しく解説します。
是非この機会にお役立てください。

セミナー趣旨

半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。

半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。

本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。

レジスト剥離 (除去)技術 については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。

また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

得られる知識

• レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
• レジストを使用する際の留意事項
• リソグラフィープロセスについて
• 素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
• レジスト材料（ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト）
• レジスト評価法について
• レジスト除去（剥離）技術について

受講対象

• レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
• レジスト除去（剥離）技術の研究や開発に関わる方
• 半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
• レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

キーワード

：レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、レジスト現像アナライザ（RDA）、化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト、レジスト除去（剥離）、オゾン、水素ラジカル、マイクロ（ナノ）バブル

担当講師

大阪公立大学　学長特別補佐
大学院工学研究科　物質化学生命系専攻　化学バイオ工学分野　高分子化学研究グループ　教授
博士(工学)　堀邊 英夫　氏

[ご専門]
高分子物性（フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性）

WEBページ　https://www.omu.ac.jp/eng/polymer2021_lab/

セミナープログラム（予定）

1．感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
1.1 感光性レジストとは?
1.2 リソグラフィーについて
1.3 フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要

2．レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
2.1 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
2.2 レジストの基本原理
2.3 レジストの現像特性

3．ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
3.1 レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
3.2 ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
3.3 ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
3.4 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
3.5 ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係

4．化学増幅ポジ型レジストの材料設計
4.1 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
・ベース樹脂
・溶解抑制剤
・酸発生剤
4.2 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
4.3 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
4.4 EUVレジストへの展開
4.5 i線厚膜レジストへの展開

5．環境に優しい新規なレジスト除去技術について
5.1 活性種として水素ラジカルを用いた場合
5.2 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
5.3 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
5.4 イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術

□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【Live配信】 2025年2月20日（木） 10:30～16:30
【アーカイブ配信】 2025年3月5日（水） まで受付(視聴期間：3/5～3/18）

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

一般受講：本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

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配布資料

製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
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　セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
　Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。

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